Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
7701 | HZM7.5N | Diodo Zener planar epitaxial del silicio para el estabilizador | Hitachi Semiconductor |
7702 | HZM8.2N | Diodo Zener planar epitaxial del silicio para el estabilizador | Hitachi Semiconductor |
7703 | HZM9.1N | Diodo Zener planar epitaxial del silicio para el estabilizador | Hitachi Semiconductor |
7704 | HZN6.8ZMFA | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7705 | HZS | Diodo Zener planar epitaxial del silicio para la fuente de alimentación estabilizada | Hitachi Semiconductor |
7706 | HZU-G SERIES | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7707 | HZU10G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7708 | HZU12G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7709 | HZU5.1G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7710 | HZU5.6G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7711 | HZU5.6Z | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7712 | HZU6.2G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7713 | HZU6.2L | El diodo Zener planar epitaxial del silicio para la oleada absorbe | Hitachi Semiconductor |
7714 | HZU6.2Z | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7715 | HZU6.8G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7716 | HZU6.8L | El diodo Zener planar epitaxial del silicio para la oleada absorbe | Hitachi Semiconductor |
7717 | HZU6.8Z | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7718 | HZU7.5G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7719 | HZU8.2G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7720 | HZU9.1G | Diodos De la Absorción De la Oleada | Hitachi Semiconductor |
7721 | J204077_HA1630S01 | J204077_HA1630S01 | Hitachi Semiconductor |
7722 | J205001_HD29026A | Conductores Duales del CCD | Hitachi Semiconductor |
7723 | J205027_HD29051 | Conductores de línea/receptores diferenciados duales con las salidas 3-state | Hitachi Semiconductor |
7724 | J205249_HD74LV1G00A | Puerta Del ìnput NAND | Hitachi Semiconductor |
7725 | J205293_HD74HC1G14 | Inversor con la entrada de Schmitttrigger | Hitachi Semiconductor |
7726 | J205557_HD74ALVC1G07 | Solos almacenador intermediario/conductor con el dren abierto | Hitachi Semiconductor |
7727 | J2081535_H5N2509P | CONMUTACIÓN Del Mosfet Del CANAL Del SILICIO N | Hitachi Semiconductor |
7728 | LM032L | Módulo LCD de 20 caracteres x 2 líneas | Hitachi Semiconductor |
7729 | LM032XMBL | Módulo LCD de 20 caracteres x 2 líneas | Hitachi Semiconductor |
7730 | LM64P832 | ESPECIFICACIÓN DE INTERFAZ | Hitachi Semiconductor |
7731 | LM64P832 | ESPECIFICACIÓN DE INTERFAZ | Hitachi Semiconductor |
7732 | LM64P839 | ESPECIFICACIÓN DE INTERFAZ | Hitachi Semiconductor |
7733 | LM64P839 | ESPECIFICACIÓN DE INTERFAZ | Hitachi Semiconductor |
7734 | LMG5278XUFC-00T | ESPECIFICACIÓN DE INTERFAZ | Hitachi Semiconductor |
7735 | LMG5278XUFC-00T | ESPECIFICACIÓN DE INTERFAZ | Hitachi Semiconductor |
7736 | LV74 | Los fracasos de tirón duales del D-tipo con preestablecen y despejan | Hitachi Semiconductor |
7737 | LV86 | Cuadrángulo. 2-input Exclusivo-O Puertas | Hitachi Semiconductor |
7738 | M51132FP | 550mW; V (cc): 15.5V; 40mA; Balance de volumen electrónica de 2 canales. Para equipo audiovisual | Hitachi Semiconductor |
7739 | M51132L | 800mW; V (cc): 15.5V; 40mA; Balance de volumen electrónica de 2 canales. Para equipo audiovisual | Hitachi Semiconductor |
7740 | M51326P | V (cc): 14V; V (en): 6V; 1,25 W; conmutador analógico. Para un equipo de vídeo | Hitachi Semiconductor |
7741 | M51348AVP | 7.5V; 360mW; VIF / SIF para baja tensión de alimentación. Para portátiles de B / W, color TV | Hitachi Semiconductor |
7742 | M52957AFP | Distancie el proceso de señal de la detección para el voltaje de fuente 3V | Hitachi Semiconductor |
7743 | M5M5J167KT | ESPOLÓN DE LOS PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS DEL CMOS | Hitachi Semiconductor |
7744 | M61006FP | PROCESO De SEÑAL De la DETECCIÓN De la DISTANCIA PARA El VOLTAJE De FUENTE De 3 V | Hitachi Semiconductor |
7745 | M61111FP | Arrolle -menos VIF/SIF | Hitachi Semiconductor |
7746 | M61538FP | Volumen Electrónico 6-Channel | Hitachi Semiconductor |
7747 | M61540FP | volumen electrónico 6ch con el selector entrado 5 | Hitachi Semiconductor |
7748 | MBB100A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7749 | MBB50A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7750 | MBB50F12 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7751 | MBB75A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7752 | MBM100A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7753 | MBM100F12 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7754 | MBM150A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7755 | MBM150F12 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7756 | MBM200A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7757 | MBM300A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7758 | MBM50A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7759 | MBM50F12 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7760 | MBM75A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7761 | MBM75F12 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7762 | MBN200A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7763 | MBN200F12 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7764 | MBN300F12 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7765 | MBN400A6 | GAMA DEL MÓDULO DE IGBT CON (SFD) LOS DIODOS FREE-WHEELING SUAVES Y RÁPIDOS | Hitachi Semiconductor |
7766 | MEJ02C2016_M5M5J167KT | ESPOLÓN DE LOS PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS DEL CMOS | Hitachi Semiconductor |
7767 | NAV-DS4 | Graphics/Speech SH Que procesa El Sistema Nav-ds4, Nota De la Demostración Del Uso | Hitachi Semiconductor |
7768 | ON4959 | Circuito de la energía con ON4959 | Hitachi Semiconductor |
7769 | PF00105A | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico de los amperios | Hitachi Semiconductor |
7770 | PF0030 | Amplificador De Energía del Fet del MOS | Hitachi Semiconductor |
7771 | PF0031 | V (dd): 17V; I (dd): 3A; 20mW; MOSFET módulo amplificador de potencia para el teléfono móvil | Hitachi Semiconductor |
7772 | PF0032 | Amplificador De Energía del Fet del MOS | Hitachi Semiconductor |
7773 | PF0121 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono móvil del G/M | Hitachi Semiconductor |
7774 | PF0140 | MÓDULO DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL MOSFET PARA EL TELÉFONO PRÁCTICO DEL G/M | Hitachi Semiconductor |
7775 | PF01410 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico del G/M | Hitachi Semiconductor |
7776 | PF01410A | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico del G/M | Hitachi Semiconductor |
7777 | PF01411 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico E-G/M | Hitachi Semiconductor |
7778 | PF01411A | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico E-G/M | Hitachi Semiconductor |
7779 | PF01411B | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico E-G/M | Hitachi Semiconductor |
7780 | PF01412 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico E-G/M | Hitachi Semiconductor |
7781 | PF01412A | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico E-G/M | Hitachi Semiconductor |
7782 | PF0210 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono móvil del ADC | Hitachi Semiconductor |
7783 | PF0310A | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para la venda del VHF | Hitachi Semiconductor |
7784 | PF0311 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para la venda del VHF | Hitachi Semiconductor |
7785 | PF0313 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para la venda del VHF | Hitachi Semiconductor |
7786 | PF0314 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para la venda del VHF | Hitachi Semiconductor |
7787 | PF0340A | Módulo Del Amplificador De Energía del Fet del MOS | Hitachi Semiconductor |
7788 | PF0414 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico de DCS 1800 | Hitachi Semiconductor |
7789 | PF0414A | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico de DCS 1800 | Hitachi Semiconductor |
7790 | PF0414B | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico de DCS 1800 | Hitachi Semiconductor |
7791 | PF0415 | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico de las PC 1900 | Hitachi Semiconductor |
7792 | PF0415A | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el teléfono práctico de las PC 1900 | Hitachi Semiconductor |
7793 | PF08103A | El módulo del amplificador de energía del FET del MOS para E-gsm900 y DCS1800 se dobla teléfono práctico de la venda | Hitachi Semiconductor |
7794 | PF08103B | El módulo del amplificador de energía del FET del MOS para E-gsm900 y DCS1800 se dobla teléfono práctico de la venda | Hitachi Semiconductor |
7795 | PF1010A | Módulo del amplificador de energía del FET del MOS para el LAN de P/C | Hitachi Semiconductor |
7796 | PM45502C | V (DSS): 450V; 300W; Silicon Power N-canal del módulo MOS FET. Para conmutación de potencia de alta velocidad | Hitachi Semiconductor |
7797 | PM50502C | Conmutación De alta velocidad De la Energía | Hitachi Semiconductor |
7798 | R1LP0408C | Versión Amplia 4 M SRAM (512-512-kword De la Gama De temperaturas 8-bit) | Hitachi Semiconductor |
7799 | R1LP0408CSB-5SI | Versión Amplia 4 M SRAM (512-512-kword De la Gama De temperaturas 8-bit) | Hitachi Semiconductor |
7800 | R1LP0408CSB-7LI | Versión Amplia 4 M SRAM (512-512-kword De la Gama De temperaturas 8-bit) | Hitachi Semiconductor |
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