| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 5701 | HG62E240 | 0,3 a 6,7 ??V, Cmos rebanada maestro matriz de puertas | Hitachi Semiconductor |
| 5702 | HL6319G | Diodos Del Laser De AlGaInP | Hitachi Semiconductor |
| 5703 | HL6320G | Diodos Del Laser De AlGaInP | Hitachi Semiconductor |
| 5704 | HL6323MG | Diodo Del Laser De AlGaInP | Hitachi Semiconductor |
| 5705 | HL6325 | Diodo Visible Bajo Del Laser De la Corriente De Funcionamiento | Hitachi Semiconductor |
| 5706 | HL6325/26G | Diodo Visible Bajo Del Laser De la Corriente De Funcionamiento | Hitachi Semiconductor |
| 5707 | HL6325G | Diodo Visible Bajo Del Laser De la Corriente De Funcionamiento | Hitachi Semiconductor |
| 5708 | HL6326 | Diodo Visible Bajo Del Laser De la Corriente De Funcionamiento | Hitachi Semiconductor |
| 5709 | HL6326G | Diodo Visible Bajo Del Laser De la Corriente De Funcionamiento | Hitachi Semiconductor |
| 5710 | HL6331G | (HL6332G) Diodo Visible Bajo Del Laser De la Corriente De Funcionamiento | Hitachi Semiconductor |
| 5711 | HL6333MG | (HL6334MG) Diodo Visible Bajo Del Laser De la Corriente De Funcionamiento | Hitachi Semiconductor |
| 5712 | HL6334MG | Diodo Visible Bajo Del Laser De la Corriente De Funcionamiento | Hitachi Semiconductor |
| 5713 | HL6335G | (HL6336G) Corriente De Funcionamiento Baja De la Viga Circular | Hitachi Semiconductor |
| 5714 | HL6336G | Corriente De Funcionamiento Baja De la Viga Circular | Hitachi Semiconductor |
| 5715 | HL6339G | (HL6342G) Diodo Del Laser De los 633nm Lasing | Hitachi Semiconductor |
| 5716 | HL6342G | Diodo Del Laser De los 633nm Lasing | Hitachi Semiconductor |
| 5717 | HL6503MG | Diodo visible del laser de la alta energía para el Dvd-espolo'n | Hitachi Semiconductor |
| 5718 | HL6714G | Diodo Del Laser De AlGaInP | Hitachi Semiconductor |
| 5719 | HL6724MG | El HL6724MG es un 0.67 diodo del laser de AlGaInP de la venda del?m con una estructura del pozo del multi-quantum (MQW). | Hitachi Semiconductor |
| 5720 | HL6738MG | Diodo Visible Del Laser De la Alta Energía | Hitachi Semiconductor |
| 5721 | HL7851G | Diodo Del Laser De GaAlAs | Hitachi Semiconductor |
| 5722 | HL7859MG | Diodo Visible Del Laser De la Alta Energía | Hitachi Semiconductor |
| 5723 | HL8325G | Diodo Del Laser De GaAlAs | Hitachi Semiconductor |
| 5724 | HM10500-15 | 0,5 a -7.0V; 15ns; 262.144 palabras x 1 bit decodificado totalmente la memoria de acceso aleatorio. Para los sistemas de alta velocidad, tales como memorias principales para superordenadores | Hitachi Semiconductor |
| 5725 | HM48416AP | 16384 palabra x ESPOLÓN dinámico de 4 pedacitos | Hitachi Semiconductor |
| 5726 | HM5112805F-6 | la COPITA del EDO del 128M (16-Mwoo x 8-bit) 8k refresh/4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5727 | HM5112805FLTD-6 | la COPITA del EDO del 128M (16-Mwoo x 8-bit) 8k refresh/4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5728 | HM5112805FTD-6 | la COPITA del EDO del 128M (16-Mwoo x 8-bit) 8k refresh/4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5729 | HM5113805F-6 | la COPITA del EDO del 128M (16-Mwoo x 8-bit) 8k refresh/4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5730 | HM5113805FLTD-6 | la COPITA del EDO del 128M (16-Mwoo x 8-bit) 8k refresh/4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5731 | HM5113805FTD-6 | la COPITA del EDO del 128M (16-Mwoo x 8-bit) 8k refresh/4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5732 | HM5116100 | la COPITA del punto de congelación del 16M (16-Mwoo x 1-bit) 4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5733 | HM5116100S | la COPITA del punto de congelación del 16M (16-Mwoo x 1-bit) 4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5734 | HM5116100S-6 | la COPITA del punto de congelación del 16M (16-Mwoo x 1-bit) 4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5735 | HM5116100S-7 | la COPITA del punto de congelación del 16M (16-Mwoo x 1-bit) 4k restaura | Hitachi Semiconductor |
| 5736 | HM51258P | 262144 palabra x 1 COPITA estática de la columna Cmos del pedacito | Hitachi Semiconductor |
| 5737 | HM514100DLS-6 | 4.194.304-palabras x 1 bit de RAM dinámica, 60ns | Hitachi Semiconductor |
| 5738 | HM514100DLS-7 | 4.194.304-palabras x 1 bit de RAM dinámica, 70ns | Hitachi Semiconductor |
| 5739 | HM514100DLS-8 | 4.194.304-palabras x 1 bit de RAM dinámica, 80ns | Hitachi Semiconductor |
| 5740 | HM514100DS-6 | 4.194.304-palabras x 1 bit de RAM dinámica, 60ns | Hitachi Semiconductor |
| 5741 | HM514100DS-7 | 4.194.304-palabras x 1 bit de RAM dinámica, 70ns | Hitachi Semiconductor |
| 5742 | HM514100DS-8 | 4.194.304-palabras x 1 bit de RAM dinámica, 80ns | Hitachi Semiconductor |
| 5743 | HM514258AJP-10 | 100 ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5744 | HM514258AJP-12 | 120ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5745 | HM514258AJP-6 | 60ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5746 | HM514258AJP-7 | 70ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5747 | HM514258AJP-8 | 80ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5748 | HM514258AP-10 | 100 ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5749 | HM514258AP-12 | 120ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5750 | HM514258AP-6 | 60ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5751 | HM514258AP-7 | 70ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5752 | HM514258AP-8 | 80ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5753 | HM514258AZP-10 | 100 ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5754 | HM514258AZP-12 | 120ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5755 | HM514258AZP-6 | 60ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5756 | HM514258AZP-7 | 70ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5757 | HM514258AZP-8 | 80ns; V (cc / t): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 4-bit CMOS RAM dinámica | Hitachi Semiconductor |
| 5758 | HM514260AJ-10 | 100 ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits DYNAMIA memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5759 | HM514260AJ-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dinamina memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5760 | HM514260AJ-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits de memoria dinámica de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5761 | HM514260ALJ-10 | 100 ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiò memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5762 | HM514260ALJ-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits DYNAMIA memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5763 | HM514260ALJ-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÔ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5764 | HM514260ALRR-10 | 100 ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits de memoria dinámica de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5765 | HM514260ALRR-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÔ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5766 | HM514260ALRR-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits DYNAMIA memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5767 | HM514260ALTT-10 | 100 ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dinamina memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5768 | HM514260ALTT-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamié memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5769 | HM514260ALTT-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÓ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5770 | HM514260ALZ-10 | 100 ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÎ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5771 | HM514260ALZ-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÊ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5772 | HM514260ALZ-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamií memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5773 | HM514260ARR-10 | 100 ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÓ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5774 | HM514260ARR-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits de memoria dinámica de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5775 | HM514260ARR-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dinamina memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5776 | HM514260ATT-10 | 100 ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamié memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5777 | HM514260ATT-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamií memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5778 | HM514260ATT-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÊ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5779 | HM514260AZ-10 | 100 ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÔ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5780 | HM514260AZ-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÎ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5781 | HM514260AZ-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiò memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5782 | HM514260CJ-6 | 60ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiò memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5783 | HM514260CJ-6R | 60ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÐ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5784 | HM514260CJ-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiï memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5785 | HM514260CJ-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÎ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5786 | HM514260CLJ-6 | 60ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamië memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5787 | HM514260CLJ-6R | 60ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÊ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5788 | HM514260CLJ-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÌ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5789 | HM514260CLJ-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamií memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5790 | HM514260CLTT-6 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dinamina memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5791 | HM514260CLTT-6R | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÓ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5792 | HM514260CLTT-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiõ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5793 | HM514260CLTT-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÈ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5794 | HM514260CTT-6 | 60ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits DYNAMIA memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5795 | HM514260CTT-6R | 60ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÖ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5796 | HM514260CTT-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiæ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5797 | HM514260CTT-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiÔ memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5798 | HM514260DJI-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiß memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5799 | HM514260DJI-8 | 80ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits dynamiú memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
| 5800 | HM514260DLJI-7 | 70ns; V (cc): -1,0 a + 7.0V; 50mA; 1W; 262144-palabra x 16 bits DYNAMIA memoria de acceso aleatorio | Hitachi Semiconductor |
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