| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 5701 | HG62E240 | , Мастер ломтик CMOS матрица логических элементов 0.3-6.7 V | Hitachi Semiconductor |
| 5702 | HL6319G | Диоды Лазера AlGaInP | Hitachi Semiconductor |
| 5703 | HL6320G | Диоды Лазера AlGaInP | Hitachi Semiconductor |
| 5704 | HL6323MG | Диод Лазера AlGaInP | Hitachi Semiconductor |
| 5705 | HL6325 | Низкий Диод Лазера Работая Течения Видимый | Hitachi Semiconductor |
| 5706 | HL6325/26G | Низкий Диод Лазера Работая Течения Видимый | Hitachi Semiconductor |
| 5707 | HL6325G | Низкий Диод Лазера Работая Течения Видимый | Hitachi Semiconductor |
| 5708 | HL6326 | Низкий Диод Лазера Работая Течения Видимый | Hitachi Semiconductor |
| 5709 | HL6326G | Низкий Диод Лазера Работая Течения Видимый | Hitachi Semiconductor |
| 5710 | HL6331G | (HL6332G) Низкий Диод Лазера Работая Течения
Видимый | Hitachi Semiconductor |
| 5711 | HL6333MG | (HL6334MG) Низкий Диод Лазера Работая
Течения Видимый | Hitachi Semiconductor |
| 5712 | HL6334MG | Низкий Диод Лазера Работая Течения Видимый | Hitachi Semiconductor |
| 5713 | HL6335G | (HL6336G) Течение Кругового Луча Низкое
Работая | Hitachi Semiconductor |
| 5714 | HL6336G | Течение Кругового Луча Низкое Работая | Hitachi Semiconductor |
| 5715 | HL6339G | (HL6342G) Диод Лазера 633nm Lasing | Hitachi Semiconductor |
| 5716 | HL6342G | Диод Лазера 633nm Lasing | Hitachi Semiconductor |
| 5717 | HL6503MG | Видимый диод лазера высокой силы для DVD-RAM | Hitachi Semiconductor |
| 5718 | HL6714G | Диод Лазера AlGaInP | Hitachi Semiconductor |
| 5719 | HL6724MG | HL6724MG будет 0.67 диодами лазера
AlGaInP полосы ?m с структурой добра multi-quantum
(MQW). | Hitachi Semiconductor |
| 5720 | HL6738MG | Видимый диод лазера высокой силы для DVD-RAM | Hitachi Semiconductor |
| 5721 | HL7851G | Диод Лазера GaAlAs | Hitachi Semiconductor |
| 5722 | HL7859MG | Видимый диод лазера высокой силы для DVD-RAM | Hitachi Semiconductor |
| 5723 | HL8325G | Диод Лазера GaAlAs | Hitachi Semiconductor |
| 5724 | HM10500-15 | 0,5 до -7.0V; 15 нс; 262,144 слов х 1 бит полностью декодировать оперативную память. Для высоких систем шин, таких как основных воспоминаний | Hitachi Semiconductor |
| 5725 | HM48416AP | 16384 слово x ШТОССЕЛЬ 4 битов
динамический | Hitachi Semiconductor |
| 5726 | HM5112805F-6 | DRAM 128M EDO (йь-Мшорд х 8ый-разрядн)
8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5727 | HM5112805FLTD-6 | DRAM 128M EDO (йь-Мшорд х 8ый-разрядн)
8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5728 | HM5112805FTD-6 | DRAM 128M EDO (йь-Мшорд х 8ый-разрядн)
8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5729 | HM5113805F-6 | DRAM 128M EDO (йь-Мшорд х 8ый-разрядн)
8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5730 | HM5113805FLTD-6 | DRAM 128M EDO (йь-Мшорд х 8ый-разрядн)
8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5731 | HM5113805FTD-6 | DRAM 128M EDO (йь-Мшорд х 8ый-разрядн)
8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5732 | HM5116100 | DRAM 16M fp (йь-Мшорд х 1-bit)
4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5733 | HM5116100S | DRAM 16M fp (йь-Мшорд х 1-bit)
4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5734 | HM5116100S-6 | DRAM 16M fp (йь-Мшорд х 1-bit)
4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5735 | HM5116100S-7 | DRAM 16M fp (йь-Мшорд х 1-bit)
4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 5736 | HM51258P | 262144 слово x 1 DRAM cmos колонки
бита статический | Hitachi Semiconductor |
| 5737 | HM514100DLS-6 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 5738 | HM514100DLS-7 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 70 нс | Hitachi Semiconductor |
| 5739 | HM514100DLS-8 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 80 не | Hitachi Semiconductor |
| 5740 | HM514100DS-6 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 5741 | HM514100DS-7 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 70 нс | Hitachi Semiconductor |
| 5742 | HM514100DS-8 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 80 не | Hitachi Semiconductor |
| 5743 | HM514258AJP-10 | 100 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5744 | HM514258AJP-12 | 120ns; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5745 | HM514258AJP-6 | 60 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5746 | HM514258AJP-7 | 70 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5747 | HM514258AJP-8 | 80 не; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5748 | HM514258AP-10 | 100 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5749 | HM514258AP-12 | 120ns; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5750 | HM514258AP-6 | 60 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5751 | HM514258AP-7 | 70 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5752 | HM514258AP-8 | 80 не; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5753 | HM514258AZP-10 | 100 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5754 | HM514258AZP-12 | 120ns; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5755 | HM514258AZP-6 | 60 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5756 | HM514258AZP-7 | 70 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5757 | HM514258AZP-8 | 80 не; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 5758 | HM514260AJ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiã оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5759 | HM514260AJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5760 | HM514260AJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамической памяти с произвольным доступом | Hitachi Semiconductor |
| 5761 | HM514260ALJ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiò оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5762 | HM514260ALJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiã оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5763 | HM514260ALJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÔ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5764 | HM514260ALRR-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамической памяти с произвольным доступом | Hitachi Semiconductor |
| 5765 | HM514260ALRR-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÔ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5766 | HM514260ALRR-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiã оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5767 | HM514260ALTT-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5768 | HM514260ALTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamié оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5769 | HM514260ALTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÓ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5770 | HM514260ALZ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÎ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5771 | HM514260ALZ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÊ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5772 | HM514260ALZ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamií оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5773 | HM514260ARR-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÓ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5774 | HM514260ARR-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамической памяти с произвольным доступом | Hitachi Semiconductor |
| 5775 | HM514260ARR-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5776 | HM514260ATT-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamié оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5777 | HM514260ATT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamií оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5778 | HM514260ATT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÊ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5779 | HM514260AZ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÔ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5780 | HM514260AZ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÎ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5781 | HM514260AZ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiò оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5782 | HM514260CJ-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiò оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5783 | HM514260CJ-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÐ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5784 | HM514260CJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiï оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5785 | HM514260CJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÎ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5786 | HM514260CLJ-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamië оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5787 | HM514260CLJ-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÊ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5788 | HM514260CLJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÌ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5789 | HM514260CLJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamií оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5790 | HM514260CLTT-6 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5791 | HM514260CLTT-6R | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÓ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5792 | HM514260CLTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiõ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5793 | HM514260CLTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÈ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5794 | HM514260CTT-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiã оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5795 | HM514260CTT-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÖ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5796 | HM514260CTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiæ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5797 | HM514260CTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÔ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 5798 | HM514260DJI-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5799 | HM514260DJI-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 5800 | HM514260DLJI-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiã оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| | | |
