| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 201 | 2SB1025 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 202 | 2SB1025 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 203 | 2SB1026 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 204 | 2SB1026 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 205 | 2SB1027 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 206 | 2SB1027 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 207 | 2SB1028 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 208 | 2SB1028 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 209 | 2SB1031 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫСОКОЕ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ | Hitachi Semiconductor |
| 210 | 2SB1031K | ПАРА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ С 2SD1435K | Hitachi Semiconductor |
| 211 | 2SB1032 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 212 | 2SB1032(K) | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 213 | 2SB1032K | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 214 | 2SB1046 | Пара УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SD1464 | Hitachi Semiconductor |
| 215 | 2SB1048 | Кремний PNP Эпитаксиальный, Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 216 | 2SB1048 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 217 | 2SB1058 | Пара УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SD1489 | Hitachi Semiconductor |
| 218 | 2SB1059 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 219 | 2SB1059 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 220 | 2SB1061 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 221 | 2SB1072 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 222 | 2SB1072(L) | Биполярное мощность переключения Дарлингтон-транзистор | Hitachi Semiconductor |
| 223 | 2SB1072(S) | Биполярное мощность переключения Дарлингтон-транзистор | Hitachi Semiconductor |
| 224 | 2SB1072L | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 225 | 2SB1072S | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 226 | 2SB1077 | ПАРА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ С 2SD1558 | Hitachi Semiconductor |
| 227 | 2SB1079 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 228 | 2SB1079 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 229 | 2SB1091 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 230 | 2SB1091 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 231 | 2SB1101 | ПАРА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ С 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 232 | 2SB1102 | ПАРА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ С 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 233 | 2SB1103 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 234 | 2SB1103 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 235 | 2SB1109 | КРЕМНИЙ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ
ЧАСТОТНОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ) | Hitachi Semiconductor |
| 236 | 2SB1110 | КРЕМНИЙ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ
ЧАСТОТНОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ) | Hitachi Semiconductor |
| 237 | 2SB1244 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 238 | 2SB1245 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 239 | 2SB1387 | Пара УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SD1978 | Hitachi Semiconductor |
| 240 | 2SB1389 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 241 | 2SB1389 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 242 | 2SB1390 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 243 | 2SB1390 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 244 | 2SB1391 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 245 | 2SB1391 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 246 | 2SB1392 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 247 | 2SB1392 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 248 | 2SB1399 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 249 | 2SB1399 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 250 | 2SB1400 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 251 | 2SB1400 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 252 | 2SB1401 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 253 | 2SB1407 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 254 | 2SB1407(L) | Биполярное мощности общего назначения транзистор | Hitachi Semiconductor |
| 255 | 2SB1407(L)/(S) | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 256 | 2SB1407(S) | Биполярное мощности общего назначения транзистор | Hitachi Semiconductor |
| 257 | 2SB1407L | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 258 | 2SB1407S | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 259 | 2SB1409 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 260 | 2SB1409(L) | Биполярное мощности общего назначения транзистор | Hitachi Semiconductor |
| 261 | 2SB1409(L)/(S) | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 262 | 2SB1409(S) | Биполярное мощности общего назначения транзистор | Hitachi Semiconductor |
| 263 | 2SB1409L | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 264 | 2SB1409S | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 265 | 2SB1494 | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 266 | 2SB1494 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 267 | 2SB1530 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 268 | 2SB1530 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 269 | 2SB1688 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 270 | 2SB370 | ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ УСИЛИТЕЛЯ ВЫХОДА
ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ | Hitachi Semiconductor |
| 271 | 2SB370A | ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ УСИЛИТЕЛЯ ВЫХОДА
ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ | Hitachi Semiconductor |
| 272 | 2SB561 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 273 | 2SB561 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 274 | 2SB562 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 275 | 2SB562 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 276 | 2SB566 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 277 | 2SB566(K) | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 278 | 2SB566A | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 279 | 2SB566A(K) | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 280 | 2SB566AK | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 281 | 2SB566K | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 282 | 2SB646 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SD666/A | Hitachi Semiconductor |
| 283 | 2SB646A | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SD666/A | Hitachi Semiconductor |
| 284 | 2SB647 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 285 | 2SB647 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 286 | 2SB647A | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 287 | 2SB647A | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 288 | 2SB649 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 289 | 2SB649 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 290 | 2SB649A | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 291 | 2SB649A | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 292 | 2SB715 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 293 | 2SB715 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 294 | 2SB716 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 295 | 2SB716 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 296 | 2SB716A | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 297 | 2SB716A | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 298 | 2SB717 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB757 и 2SB758 | Hitachi Semiconductor |
| 299 | 2SB718 | Пара ВЫСОКОВОЛЬТНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SB757 и 2SB758 | Hitachi Semiconductor |
| 300 | 2SB727 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| | | |
