|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |

Часть название, описание или производитель содержать:

Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Информация Найдено :: 7963

Номер	Часть Имя	Описание	Производитель
6101	HM51S4800CTT-6	60 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ	Hitachi Semiconductor
6102	HM51S4800CTT-7	70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ	Hitachi Semiconductor
6103	HM51S4800CTT-8	80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ	Hitachi Semiconductor
6104	HM51W16165	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6105	HM51W16165J-5	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6106	HM51W16165J-6	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6107	HM51W16165J-7	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6108	HM51W16165LJ-5	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6109	HM51W16165LJ-6	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6110	HM51W16165LJ-7	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6111	HM51W16165LTT-5	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6112	HM51W16165LTT-6	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6113	HM51W16165LTT-7	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6114	HM51W16165TT-5	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6115	HM51W16165TT-6	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6116	HM51W16165TT-7	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6117	HM51W18165J-6	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6118	HM51W18165J-7	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6119	HM51W18165LJ-5	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6120	HM51W18165LJ-6	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6121	HM51W18165LJ-7	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6122	HM51W18165LTT-5	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6123	HM51W18165LTT-6	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6124	HM51W18165LTT-7	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6125	HM51W18165TT-5	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6126	HM51W18165TT-6	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6127	HM51W18165TT-7	16 DRAM м EDO (1-Mword шестнадцатиразрядное) 4 к Refresh/1 к освежает	Hitachi Semiconductor
6128	HM5212325F	поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл 1-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100 SDRAM 128M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6129	HM5212325F-B60	поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл 1-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100 SDRAM 128M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6130	HM5212325FBP-B60	128M интерфейс LVTTL SDRAM 100 МГц, 1-Mword х 32-битный х 4-банк	Hitachi Semiconductor
6131	HM5212325FBPC	поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл 1-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100 SDRAM 128M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6132	HM5212325FBPC-B60	поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл 1-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100 SDRAM 128M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6133	HM5225325F-B60	поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл 1-Mword х 64ый-разрядн х 4-bank/2-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100 SDRAM 256M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6134	HM5225645F	поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл 1-Mword х 64ый-разрядн х 4-bank/2-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100 SDRAM 256M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6135	HM5225645F-B60	поверхность стыка SDRAM 100 мегацикл 1-Mword х 64ый-разрядн х 4-bank/2-Mword х трицатидвухразрядный х 4-bank PC/100 SDRAM 256M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6136	HM5264165A60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6137	HM5264165B60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6138	HM5264165F	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6139	HM5264165F-75	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6140	HM5264165FLTT-75	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6141	HM5264165FLTT-A60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6142	HM5264165FLTT-B60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6143	HM5264165FTT-75	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6144	HM5264165FTT-A60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6145	HM5264165FTT-B60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6146	HM5264405F	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6147	HM5264405FLTT-75	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6148	HM5264405FLTT-A60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6149	HM5264405FLTT-B60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6150	HM5264405FTT-75	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6151	HM5264405FTT-A60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6152	HM5264405FTT-B60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6153	HM5264805F	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6154	HM5264805F-75	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6155	HM5264805F-A60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor

6156	HM5264805F-B60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6157	HM5264805FLTT-75	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6158	HM5264805FLTT-A60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6159	HM5264805FLTT-B60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6160	HM5264805FTT-75	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6161	HM5264805FTT-A60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6162	HM5264805FTT-B60	поверхность стыка SDRAM 133 MHz/100 мегацикл 64M LVTTL	Hitachi Semiconductor
6163	HM530281	331.776 WORD X ПАМЯТЬ РАМКИ 8 БИТОВ	Hitachi Semiconductor
6164	HM530281RTT-20	20 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 1W; ; Х 8 бит памяти пламя 331776-слово	Hitachi Semiconductor
6165	HM530281RTT-25	25 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 1W; ; Х 8 бит памяти пламя 331776-слово	Hitachi Semiconductor
6166	HM530281RTT-34	34ns; V (см): -1,0 до + 7.0V; 1W; ; Х 8 бит памяти пламя 331776-слово	Hitachi Semiconductor
6167	HM530281RTT-45	45ns; V (см): -1,0 до + 7.0V; 1W; ; Х 8 бит памяти пламя 331776-слово	Hitachi Semiconductor
6168	HM530281TT	331.776 WORD X ПАМЯТЬ РАМКИ 8 БИТОВ	Hitachi Semiconductor
6169	HM530281TT-20	331.776 WORD X ПАМЯТЬ РАМКИ 8 БИТОВ	Hitachi Semiconductor
6170	HM530281TT-25	331.776 WORD X ПАМЯТЬ РАМКИ 8 БИТОВ	Hitachi Semiconductor
6171	HM530281TT-34	331.776 WORD X ПАМЯТЬ РАМКИ 8 БИТОВ	Hitachi Semiconductor
6172	HM530281TT-45	331.776 WORD X ПАМЯТЬ РАМКИ 8 БИТОВ	Hitachi Semiconductor
6173	HM53051P-45	45ns; V (см): -1,0 до + 7.0V; 1W; Х 4-битный кадр памяти 262144-слово	Hitachi Semiconductor
6174	HM53051P-60	60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 1W; Х 4-битный кадр памяти 262144-слово	Hitachi Semiconductor
6175	HM53461	65536 слово x ШТОССЕЛЬ видеоего Multiport cmos 4 битов	Hitachi Semiconductor
6176	HM53461P-10	100 нс; V (см): -0,5 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 65,536-слово х 4-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6177	HM53461P-12	120ns; V (см): -0,5 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 65,536-слово х 4-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6178	HM53461P-15	150ns; V (см): -0,5 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 65,536-слово х 4-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6179	HM53461ZP-10	100 нс; V (см): -0,5 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 65,536-слово х 4-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6180	HM53461ZP-12	120ns; V (см): -0,5 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 65,536-слово х 4-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6181	HM53461ZP-15	150ns; V (см): -0,5 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 65,536-слово х 4-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6182	HM538123BJ-10	100 нс; V (см): -0,5 до + 7.0V; 1M VRAM (128 -kword х 8-бит)	Hitachi Semiconductor
6183	HM538123BJ-6	60 нс; V (см): -0,5 до + 7.0V; 1M VRAM (128 -kword х 8-бит)	Hitachi Semiconductor
6184	HM538123BJ-7	70 нс; V (см): -0,5 до + 7.0V; 1M VRAM (128 -kword х 8-бит)	Hitachi Semiconductor
6185	HM538123BJ-8	80 не; V (см): -0,5 до + 7.0V; 1M VRAM (128 -kword х 8-бит)	Hitachi Semiconductor
6186	HM538253J-10	100 нс; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6187	HM538253J-7	70 нс; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6188	HM538253J-8	80 не; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6189	HM538253RR-10	100 нс; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6190	HM538253RR-7	70 нс; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6191	HM538253RR-8	80 не; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6192	HM538253TT-10	100 нс; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6193	HM538253TT-7	70 нс; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6194	HM538253TT-8	80 не; 1W; V (см): -0,5 до + 7.0V; 262144-слово х 8-битные мультипортовых CMOS видеопамяти	Hitachi Semiconductor
6195	HM6116	ШТОССЕЛЬ Static 20я8-slov X 8bit Высокоскоростной Cmos	Hitachi Semiconductor
6196	HM6116FP-2	ШТОССЕЛЬ Static 20я8-slov X 8bit Высокоскоростной Cmos	Hitachi Semiconductor
6197	HM6116FP-3	ШТОССЕЛЬ Static 20я8-slov X 8bit Высокоскоростной Cmos	Hitachi Semiconductor
6198	HM6116FP-4	ШТОССЕЛЬ Static 20я8-slov X 8bit Высокоскоростной Cmos	Hitachi Semiconductor
6199	HM6116LFP-2	ШТОССЕЛЬ Static 20я8-slov X 8bit Высокоскоростной Cmos	Hitachi Semiconductor
6200	HM6116LFP-3	ШТОССЕЛЬ Static 20я8-slov X 8bit Высокоскоростной Cmos	Hitachi Semiconductor

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/hitachisemiconductor/1/