| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 1901 | IS62LV2568LL-70T | 256K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1902 | IS62LV2568LL-70TI | 256K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1903 | IS62LV2568LL-85B | 256K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1904 | IS62LV2568LL-85BI | 256K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1905 | IS62LV2568LL-85H | 256K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1906 | IS62LV2568LL-85HI | 256K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1907 | IS62LV2568LL-85T | 256K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1908 | IS62LV2568LL-85TI | 256K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1909 | IS62LV256L-15J | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1910 | IS62LV256L-15JI | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1911 | IS62LV256L-15T | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1912 | IS62LV256L-15TI | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1913 | IS62LV256L-20J | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1914 | IS62LV256L-20JI | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1915 | IS62LV256L-20T | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1916 | IS62LV256L-20TI | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1917 | IS62LV256L-25J | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1918 | IS62LV256L-25JI | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1919 | IS62LV256L-25T | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1920 | IS62LV256L-25TI | ESPOLÓN de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la BAJA TENSIÓN 8 Cmos de32K x | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1921 | IS62LV5128LL | 512K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1922 | IS62LV5128LL-70B | 512K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1923 | IS62LV5128LL-70BI | 512K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1924 | IS62LV5128LL-85B | 512K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1925 | IS62LV5128LL-85BI | 512K x 8 ENERGÍA BAJA y ESPOLÓN BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de Vcc Cmos | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1926 | IS62U6416LL-20B | 64K x 16 baja tensión, potencia CMOS de ultra-bajas de RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1927 | IS62U6416LL-20BI | 64K x 16 baja tensión, potencia CMOS de ultra-bajas de RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1928 | IS62U6416LL-20K | 64K x 16 baja tensión, potencia CMOS de ultra-bajas de RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1929 | IS62U6416LL-20KI | 64K x 16 baja tensión, potencia CMOS de ultra-bajas de RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1930 | IS62U6416LL-20T | 64K x 16 baja tensión, potencia CMOS de ultra-bajas de RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1931 | IS62U6416LL-20TI | 64K x 16 baja tensión, potencia CMOS de ultra-bajas de RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1932 | IS62V6416BLL-10B | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1933 | IS62V6416BLL-10BI | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1934 | IS62V6416BLL-10K | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1935 | IS62V6416BLL-10KI | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1936 | IS62V6416BLL-10T | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1937 | IS62V6416BLL-10TI | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1938 | IS62V6416BLL-12B | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1939 | IS62V6416BLL-12BI | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1940 | IS62V6416BLL-12K | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1941 | IS62V6416BLL-12KI | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1942 | IS62V6416BLL-12T | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1943 | IS62V6416BLL-12TI | 128K x 16 de baja tensión, de potencia CMOS de ultra bajas RAM estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1944 | IS62VV25616L-10M | 256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1945 | IS62VV25616L-10MI | 256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1946 | IS62VV25616L-10T | 256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1947 | IS62VV25616L-10TI | 256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1948 | IS62VV25616L-70M | 256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1949 | IS62VV25616L-70MI | 256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estática | Integrated Silicon Solution Inc |
| 1950 | IS62VV25616L-70T | 256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estática | Integrated Silicon Solution Inc |
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