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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
1951IS62VV25616L-70TI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1952IS62VV25616L-85M256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1953IS62VV25616L-85MI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1954IS62VV25616L-85T256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1955IS62VV25616L-85TI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1956IS62VV25616LL-10M256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1957IS62VV25616LL-10MI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1958IS62VV25616LL-10T256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1959IS62VV25616LL-10TI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1960IS62VV25616LL-70M256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1961IS62VV25616LL-70MI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1962IS62VV25616LL-70T256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1963IS62VV25616LL-70TI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1964IS62VV25616LL-85M256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1965IS62VV25616LL-85MI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1966IS62VV25616LL-85T256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1967IS62VV25616LL-85TI256K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1968IS62VV51216LL-70M512K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1969IS62VV51216LL-70MI512K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1970IS62VV51216LL-85M512K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1971IS62VV51216LL-85MI512K x 16 bajo voltaje, 1.8V CMOS RAM de energía ultra bajo estáticaIntegrated Silicon Solution Inc
1972IS62WV12816BAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1973IS62WV12816ALLBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1974IS62WV12816ALL-70B2IBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1975IS62WV12816ALL-70BIBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1976IS62WV12816ALL-70TBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1977IS62WV12816ALL-70TIBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1978IS62WV12816BLL-45BBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc



1979IS62WV12816BLL-45B2BAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1980IS62WV12816BLL-55B2IBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1981IS62WV12816BLL-55BIBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1982IS62WV12816BLL-55BLIBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1983IS62WV12816BLL-55TBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1984IS62WV12816BLL-55TIBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1985IS62WV12816BLL-55TLIBAJO ESPOLÓN ULTRA BAJO de los PARÁSITOS ATMOSFÉRICOS de la ENERGÍA Cmos de la TENSIÓN 16 de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1986IS63LV1024ESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1987IS63LV1024-10JESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1988IS63LV1024-10JIESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1989IS63LV1024-10KESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1990IS63LV1024-10KIESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1991IS63LV1024-10TESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1992IS63LV1024-10TIESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1993IS63LV1024-12JESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1994IS63LV1024-12JIESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1995IS63LV1024-12KESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1996IS63LV1024-12KIESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1997IS63LV1024-12TESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1998IS63LV1024-12TIESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
1999IS63LV1024-15JESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc
2000IS63LV1024-15JIESPOLÓN ESTÁTICO alto 3.3V PINOUT REVOLUCIONARIO de la velocidad 8 Cmos de 128K xIntegrated Silicon Solution Inc

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