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Hojas de datos encontradas :: 657

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
201	MAX20-100.0CA	100.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
202	MAX20-110.0C	110.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
203	MAX20-110.0CA	110.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
204	MAX20-120.0C	120.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
205	MAX20-120.0CA	120.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
206	MAX20-130.0C	130.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
207	MAX20-130.0CA	130.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
208	MAX20-150.0C	150.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
209	MAX20-150.0CA	150.00V; 5,0 A; potencia de impulso 20000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
210	MAX40-100.0C	100.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
211	MAX40-100.0CA	100.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
212	MAX40-110.0C	110.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
213	MAX40-110.0CA	110.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
214	MAX40-130.0C	130.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
215	MAX40-130.0CA	130.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
216	MAX40-140.0C	140.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
217	MAX40-140.0CA	140.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
218	MAX40-150.0C	150.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
219	MAX40-150.0CA	150.00V; 5,0 A; potencia de impulso 40000W pico; silenciador alto voltaje transitoria (TVS) diodo actual. Para aplicaciones bipolares	MDE Semiconductor
220	MDE-10D101K	100V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
221	MDE-10D102K	1000V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
222	MDE-10D112K	1100V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
223	MDE-10D121K	120V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
224	MDE-10D151K	150V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
225	MDE-10D180M	18V; corriente de pico máximo: 1000A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
226	MDE-10D181K	180V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor

227	MDE-10D182K	1800V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
228	MDE-10D201K	200V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
229	MDE-10D220M	22V; corriente de pico máximo: 1000A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
230	MDE-10D221K	220V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
231	MDE-10D241K	240V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
232	MDE-10D270K	27V; corriente de pico máximo: 1000A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
233	MDE-10D271K	270V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
234	MDE-10D301K	300V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
235	MDE-10D330K	33V; corriente de pico máximo: 1000A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
236	MDE-10D331K	330V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
237	MDE-10D361K	360V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
238	MDE-10D390K	39V; corriente de pico máximo: 1000A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
239	MDE-10D391K	390V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
240	MDE-10D431K	430V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
241	MDE-10D470K	47V; corriente de pico máximo: 1000A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
242	MDE-10D471K	470V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
243	MDE-10D511K	510V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
244	MDE-10D560K	56V; corriente de pico máximo: 1000A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
245	MDE-10D561K	560V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
246	MDE-10D621K	620V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
247	MDE-10D680K	68V; corriente de pico máximo: 1000A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
248	MDE-10D681K	680V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
249	MDE-10D751K	750V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor
250	MDE-10D781K	780V; corriente de pico máximo: 3500A; varistor de óxido de metal. D estándar de disco de 10 mm serie	MDE Semiconductor

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