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Les fiches techniques ont trouvé :: 7963

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
6001	HM5164165TT-5	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns	Hitachi Semiconductor
6002	HM5164165TT-6	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns	Hitachi Semiconductor
6003	HM5164405FJ-5	16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns	Hitachi Semiconductor
6004	HM5164405FJ-6	16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns	Hitachi Semiconductor
6005	HM5164405FLJ-5	16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns	Hitachi Semiconductor
6006	HM5164405FLJ-6	16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns	Hitachi Semiconductor
6007	HM5164405FLTT-5	16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns	Hitachi Semiconductor
6008	HM5164405FLTT-6	16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns	Hitachi Semiconductor
6009	HM5164405FTT-5	16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns	Hitachi Semiconductor
6010	HM5164405FTT-6	16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns	Hitachi Semiconductor
6011	HM5165165F	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6012	HM5165165FJ-5	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6013	HM5165165FJ-6	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6014	HM5165165FLJ-5	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6015	HM5165165FLJ-6	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6016	HM5165165FLTT-5	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6017	HM5165165FLTT-6	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6018	HM5165165FTT-5	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6019	HM5165165FTT-6	la DRACHME d'EDO de 64M (4-Mword x de 16 bits) 8k refresh/4k régénèrent	Hitachi Semiconductor
6020	HM5165165J-5	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns	Hitachi Semiconductor
6021	HM5165165J-6	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns	Hitachi Semiconductor
6022	HM5165165LJ-5	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns	Hitachi Semiconductor
6023	HM5165165LJ-6	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns	Hitachi Semiconductor
6024	HM5165165LTT-5	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns	Hitachi Semiconductor
6025	HM5165165LTT-6	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns	Hitachi Semiconductor
6026	HM5165165TT-5	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50ns	Hitachi Semiconductor
6027	HM5165165TT-6	64M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60ns	Hitachi Semiconductor
6028	HM5165405FJ-5	16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns	Hitachi Semiconductor
6029	HM5165405FJ-6	16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns	Hitachi Semiconductor
6030	HM5165405FLJ-5	16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns	Hitachi Semiconductor
6031	HM5165405FLJ-6	16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns	Hitachi Semiconductor
6032	HM5165405FLTT-5	16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns	Hitachi Semiconductor
6033	HM5165405FLTT-6	16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns	Hitachi Semiconductor
6034	HM5165405FTT-5	16M x 4 bits EDO DRAM, 50ns	Hitachi Semiconductor
6035	HM5165405FTT-6	16M x 4 bits EDO DRAM, 60ns	Hitachi Semiconductor
6036	HM51S4260AJ-10	100 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÖ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6037	HM51S4260AJ-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiß mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6038	HM51S4260AJ-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiú mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6039	HM51S4260ALJ-10	100 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÐ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6040	HM51S4260ALJ-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÖ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6041	HM51S4260ALJ-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiæ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6042	HM51S4260ALRR-10	100 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiú mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6043	HM51S4260ALRR-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiæ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6044	HM51S4260ALRR-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÖ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6045	HM51S4260ALTT-10	100 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiß mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6046	HM51S4260ALTT-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6047	HM51S4260ALTT-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiõ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6048	HM51S4260ALZ-10	100 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiï mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6049	HM51S4260ALZ-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6050	HM51S4260ALZ-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÌ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6051	HM51S4260ARR-10	100 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiõ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6052	HM51S4260ARR-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiú mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6053	HM51S4260ARR-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiß mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6054	HM51S4260ATT-10	100 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6055	HM51S4260ATT-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÌ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6056	HM51S4260ATT-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6057	HM51S4260AZ-10	100 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiæ mémoire vive	Hitachi Semiconductor

6058	HM51S4260AZ-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiï mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6059	HM51S4260AZ-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÐ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6060	HM51S4260CJ-6	60ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiú mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6061	HM51S4260CJ-6R	60ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamique mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6062	HM51S4260CJ-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiß mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6063	HM51S4260CJ-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits Dynamin mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6064	HM51S4260CLJ-6	60ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6065	HM51S4260CLJ-6R	60ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6066	HM51S4260CLJ-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiõ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6067	HM51S4260CLJ-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÓ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6068	HM51S4260CLTT-6	60ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6069	HM51S4260CLTT-6R	60ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÌ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6070	HM51S4260CLTT-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6071	HM51S4260CLTT-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamie mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6072	HM51S4260CTT-6	60ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiÎ mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6073	HM51S4260CTT-6R	60ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamií mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6074	HM51S4260CTT-7	70ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiï mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6075	HM51S4260CTT-8	80 ns; V (cc): -1,0 à + 7,0 V; 50mA; 1W; 262.144 mot x 16 bits dynamiò mémoire vive	Hitachi Semiconductor
6076	HM51S4800AJ-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6077	HM51S4800AJ-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6078	HM51S4800ALJ-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6079	HM51S4800ALJ-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6080	HM51S4800ALRR-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6081	HM51S4800ALRR-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6082	HM51S4800ALTT-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6083	HM51S4800ALTT-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6084	HM51S4800ARR-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6085	HM51S4800ARR-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6086	HM51S4800ATT-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6087	HM51S4800ATT-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6088	HM51S4800CJ-6	60ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6089	HM51S4800CJ-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6090	HM51S4800CJ-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6091	HM51S4800CJI-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6092	HM51S4800CJI-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6093	HM51S4800CLJ-6	60ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6094	HM51S4800CLJ-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6095	HM51S4800CLJ-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6096	HM51S4800CLJI-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6097	HM51S4800CLJI-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6098	HM51S4800CLTT-6	60ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6099	HM51S4800CLTT-7	70ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor
6100	HM51S4800CLTT-8	80 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoire	Hitachi Semiconductor

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