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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
5901HM514400BS-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5902HM514400BS-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5903HM514400BS-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5904HM514400BTT-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5905HM514400BTT-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5906HM514400BTT-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5907HM514400BZ-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5908HM514400BZ-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5909HM514400BZ-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5910HM514400CMémoire à accès 4-bit Sélective Dynamique Du 1/048/576-mot XHitachi Semiconductor
5911HM514400CLMémoire à accès 4-bit Sélective Dynamique Du 1/048/576-mot XHitachi Semiconductor
5912HM514400CLS-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5913HM514400CLS-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5914HM514400CLS-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5915HM514400CLTT-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5916HM514400CLTT-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5917HM514400CLTT-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5918HM514400CLZ-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5919HM514400CLZ-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5920HM514400CLZ-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5921HM514400CS-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5922HM514400CS-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5923HM514400CS-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5924HM514400CTT-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5925HM514400CTT-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5926HM514400CTT-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5927HM514400CZ-61.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 60nsHitachi Semiconductor
5928HM514400CZ-71.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 70nsHitachi Semiconductor
5929HM514400CZ-81.048.576 mots x 4 bits de mémoire dynamique à accès aléatoire, 80nsHitachi Semiconductor
5930HM514800AJ-770ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
5931HM514800AJ-880 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
5932HM514800ALJ-770ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
5933HM514800ALJ-880 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
5934HM514800ALRR-770ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
5935HM514800ALRR-880 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
5936HM514800ALTT-770ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
5937HM514800ALTT-880 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
5938HM514800ALZ-770ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
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5942HM514800ATT-770ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
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5944HM514800AZ-770ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
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5946HM514800CJ-660ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
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5985HM514800ZP-880 ns; V (cc): -1 à + 7V; 50mA; 1W; Mémoire 524 288 mots x 8 bits dynamique à accès aléatoireHitachi Semiconductor
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5995HM5164165J-564M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 50nsHitachi Semiconductor
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6000HM5164165LTT-664M EDO DRAM (4 Mword x 16 bits), 60nsHitachi Semiconductor

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