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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
5901HM514400BS-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5902HM514400BS-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5903HM514400BS-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5904HM514400BTT-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5905HM514400BTT-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5906HM514400BTT-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5907HM514400BZ-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5908HM514400BZ-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5909HM514400BZ-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5910HM514400C1/048/576-Wort X Dynamischer 4-bit RAMHitachi Semiconductor



5911HM514400CL1/048/576-Wort X Dynamischer 4-bit RAMHitachi Semiconductor
5912HM514400CLS-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5913HM514400CLS-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5914HM514400CLS-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5915HM514400CLTT-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5916HM514400CLTT-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5917HM514400CLTT-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5918HM514400CLZ-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5919HM514400CLZ-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5920HM514400CLZ-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5921HM514400CS-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5922HM514400CS-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5923HM514400CS-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5924HM514400CTT-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5925HM514400CTT-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5926HM514400CTT-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5927HM514400CZ-61.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 60nsHitachi Semiconductor
5928HM514400CZ-71.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 70nsHitachi Semiconductor
5929HM514400CZ-81.048.576 Wörtern x 4 Bit dynamischen Direktzugriffsspeicher, 80nsHitachi Semiconductor
5930HM514800AJ-770ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5931HM514800AJ-880ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5932HM514800ALJ-770ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5933HM514800ALJ-880ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5934HM514800ALRR-770ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5935HM514800ALRR-880ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5936HM514800ALTT-770ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5937HM514800ALTT-880ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5938HM514800ALZ-770ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
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5940HM514800ARR-770ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
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5983HM514800ZP-10100 ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5984HM514800ZP-770ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5985HM514800ZP-880ns; V (cc): -1 bis + 7 V; 50mA; 1W; 524.288-Wort x 8-Bit dynamischen DirektzugriffsspeicherHitachi Semiconductor
5986HM5164165Fder 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5987HM5164165FJ-5der 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5988HM5164165FJ-6der 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5989HM5164165FLJ-5der 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5990HM5164165FLJ-6der 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5991HM5164165FLTT-5der 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5992HM5164165FLTT-6der 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5993HM5164165FTT-5der 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5994HM5164165FTT-6der 64M EDODRAM (4-Mwo. x 16-bit) 8k refresh/4k erneuernHitachi Semiconductor
5995HM5164165J-564M EDO DRAM (4-Mword x 16 Bit), 50nsHitachi Semiconductor
5996HM5164165J-664M EDO DRAM (4-Mword x 16 Bit), 60nsHitachi Semiconductor
5997HM5164165LJ-564M EDO DRAM (4-Mword x 16 Bit), 50nsHitachi Semiconductor
5998HM5164165LJ-664M EDO DRAM (4-Mword x 16 Bit), 60nsHitachi Semiconductor
5999HM5164165LTT-564M EDO DRAM (4-Mword x 16 Bit), 50nsHitachi Semiconductor
6000HM5164165LTT-664M EDO DRAM (4-Mword x 16 Bit), 60nsHitachi Semiconductor



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