1911 | 2SK3161S | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1912 | 2SK3162 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1913 | 2SK3163 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1914 | 2SK3174A | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1915 | 2SK3175A | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1916 | 2SK3177 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1917 | 2SK319 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
1918 | 2SK319 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
1919 | 2SK320 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
1920 | 2SK320 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
1921 | 2SK3207 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1922 | 2SK3209 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1923 | 2SK3210 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1924 | 2SK3210 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1925 | 2SK3211 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1926 | 2SK3211L | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1927 | 2SK3211S | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1928 | 2SK3212 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1929 | 2SK3214 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1930 | 2SK3215 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1931 | 2SK322 | Silikon N-Führung Verzweigung Fet | Hitachi Semiconductor |
1932 | 2SK3228 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1933 | 2SK3229 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1934 | 2SK3233 | Führung MOS Fet Schnellenergie Schaltung Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1935 | 2SK3287 | Führung MOS Fet Des Silikon-N Schnellschaltung | Hitachi Semiconductor |
1936 | 2SK3287 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1937 | 2SK3288 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1938 | 2SK3288 | Führung MOS Fet Des Silikon-N Schnellschaltung | Hitachi Semiconductor |
1939 | 2SK3289 | Führung MOS Fet Des Silikon-N Schnellschaltung | Hitachi Semiconductor |
1940 | 2SK3289 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1941 | 2SK3290 | Führung MOS Fet Des Silikon-N Schnellschaltung | Hitachi Semiconductor |
1942 | 2SK3290 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1943 | 2SK3348 | Führung MOS Fet Des Silikon-N Schnellschaltung | Hitachi Semiconductor |
1944 | 2SK3348 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1945 | 2SK3349 | Führung MOS Fet Des Silikon-N Schnellschaltung | Hitachi Semiconductor |
1946 | 2SK3349 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1947 | 2SK3378 | Führung MOS Fet Des Silikon-N Schnellschaltung | Hitachi Semiconductor |
1948 | 2SK3378 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1949 | 2SK3380 | Führung MOS Fet Des Silikon-N Schnellschaltung | Hitachi Semiconductor |
1950 | 2SK3380 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1951 | 2SK3390 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1952 | 2SK3391 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1953 | 2SK359 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
1954 | 2SK359 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1955 | 2SK360 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
1956 | 2SK360 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1957 | 2SK375 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1958 | 2SK375 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1959 | 2SK375L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1960 | 2SK375L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1961 | 2SK375S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1962 | 2SK375S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1963 | 2SK383 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
1964 | 2SK383 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL (SCHNELLENERGIE SCHALTUNG) | Hitachi Semiconductor |
1965 | 2SK408 | FÜHRUNG MOS Fet Des SILIKON-N | Hitachi Semiconductor |
1966 | 2SK409 | FÜHRUNG MOS Fet Des SILIKON-N | Hitachi Semiconductor |
1967 | 2SK410 | Silikon N-Führung MOS FET (HF/VHF Endverstärker) | Hitachi Semiconductor |
1968 | 2SK415 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1969 | 2SK415 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1970 | 2SK416 | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
1971 | 2SK416 | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
1972 | 2SK416L | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
1973 | 2SK416L | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
1974 | 2SK416S | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
1975 | 2SK416S | HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTET | Hitachi Semiconductor |
1976 | 2SK429 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1977 | 2SK429 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1978 | 2SK429L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1979 | 2SK429L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1980 | 2SK429S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1981 | 2SK429S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1982 | 2SK430 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1983 | 2SK430 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1984 | 2SK430L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1985 | 2SK430L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1986 | 2SK430S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1987 | 2SK430S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1988 | 2SK435 | Silikon N-Führung Verzweigung Fet | Hitachi Semiconductor |
1989 | 2SK435 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1990 | 2SK439 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
1991 | 2SK439 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1992 | 2SK494 | Silikon N-Führung Verzweigung Fet | Hitachi Semiconductor |
1993 | 2SK494 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
1994 | 2SK511 | HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKER | Hitachi Semiconductor |
1995 | 2SK511 | HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKER | Hitachi Semiconductor |
1996 | 2SK512 | SILIKONC-CHANNEL MOSFET SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1997 | 2SK512 | SILIKONC-CHANNEL MOSFET SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
1998 | 2SK522 | Silikon N-Führung Verzweigung Fet | Hitachi Semiconductor |
1999 | 2SK534 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
2000 | 2SK534 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
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