Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1 | 2SA1235A | Transistor PNP 200mW SMD, note maximale: -50V VCEO, -200mA Ic, 150 à 500 hFE. Améliorer 2SA1235 | Isahaya Electronics Corporation |
2 | 2SA1282 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
3 | 2SA1282 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
4 | 2SA1282A | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
5 | 2SA1282A | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
6 | 2SA1283 | SILICIUM PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
7 | 2SA1283 | SILICIUM PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
8 | 2SA1284 | 900mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -100V VCEO, -500mA Ic, 55-300 hFE. 2SC3244 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
9 | 2SA1285 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
10 | 2SA1285 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
11 | 2SA1285A | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
12 | 2SA1285A | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
13 | 2SA1286 | PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEUR | Isahaya Electronics Corporation |
14 | 2SA1286 | PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEUR | Isahaya Electronics Corporation |
15 | 2SA1287 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
16 | 2SA1287 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
17 | 2SA1363 | Transistor PNP 500mW SMD, note maximale: -16V VCEO, -2A Ic, 150 à 800 hFE. 2SC3443 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
18 | 2SA1364 | TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Isahaya Electronics Corporation |
19 | 2SA1364 | TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Isahaya Electronics Corporation |
20 | 2SA1365 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL HAUT COURANT DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT | Isahaya Electronics Corporation |
21 | 2SA1365 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL HAUT COURANT DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT | Isahaya Electronics Corporation |
22 | 2SA1366 | Transistor PNP 150mW SMD, note maximale: -50V VCEO, -400mA Ic, 90-500 hFE. 2SC3441 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
23 | 2SA1368 | 2SA1368 | Isahaya Electronics Corporation |
24 | 2SA1368 | 2SA1368 | Isahaya Electronics Corporation |
25 | 2SA1369 | POUR LE PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEUR | Isahaya Electronics Corporation |
26 | 2SA1369 | POUR LE PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEUR | Isahaya Electronics Corporation |
27 | 2SA1398 | 900mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -20V VCEO, -700mA Ic, 150 à 800 hFE. 2SC3580 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
28 | 2SA1399 | TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Isahaya Electronics Corporation |
29 | 2SA1399 | TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Isahaya Electronics Corporation |
30 | 2SA1530A | POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
31 | 2SA1530A | POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
32 | 2SA1602 | POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION (MINI TYPE SUPERBE) | Isahaya Electronics Corporation |
33 | 2SA1602 | POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION (MINI TYPE SUPERBE) | Isahaya Electronics Corporation |
34 | 2SA1928 | LE SILICIUM PNP CONJUGUENT TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
35 | 2SA1928 | LE SILICIUM PNP CONJUGUENT TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
36 | 2SA1944 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
37 | 2SA1944 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
38 | 2SA1945 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL COURANT ÉLEVÉ TOUT USAGE DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT | Isahaya Electronics Corporation |
39 | 2SA1945 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL COURANT ÉLEVÉ TOUT USAGE DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT | Isahaya Electronics Corporation |
40 | 2SA1946 | Transistor PNP 500mW SMD, note maximale: -20V VCEO, -700mA Ic, 150 à 800 hFE. 2SC5212 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
41 | 2SA1947 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
42 | 2SA1947 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
43 | 2SA1948 | TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL | Isahaya Electronics Corporation |
44 | 2SA1948 | TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL | Isahaya Electronics Corporation |
45 | 2SA1989 | Pour De basse fréquence Amplifiez Le Type Épitaxial Uitra Nini Superbe Du Silicium PNP D'Application | Isahaya Electronics Corporation |
46 | 2SA1989 | Pour De basse fréquence Amplifiez Le Type Épitaxial Uitra Nini Superbe Du Silicium PNP D'Application | Isahaya Electronics Corporation |
47 | 2SA1993 | POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
48 | 2SA1993 | POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
49 | 2SA1995 | 450mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -50V VCEO, -100mA Ic, 120-560 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
50 | 2SA1998 | 600mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -20V VCEO, -2A Ic, 150 à 500 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
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