No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
567961 | IRF520NS | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567962 | IRF520NSTRL | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567963 | IRF520NSTRR | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567964 | IRF520PBF | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567965 | IRF520S | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567966 | IRF520STRL | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567967 | IRF520STRR | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567968 | IRF520V | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567969 | IRF520VL | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567970 | IRF520VPBF | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567971 | IRF520VS | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567972 | IRF521 | N - FETs VERTICALI di ALIMENTAZIONE di MODO DMOS di AUMENTO della MANICA | Supertex Inc |
567973 | IRF521 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567974 | IRF5210 | -100V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567975 | IRF5210L | -100V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567976 | IRF5210S | -100V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567977 | IRF5210STRL | -100V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567978 | IRF5210STRR | -100V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567979 | IRF522 | N - FETs VERTICALI di ALIMENTAZIONE di MODO DMOS di AUMENTO della MANICA | Supertex Inc |
567980 | IRF522 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567981 | IRF523 | N - FETs VERTICALI di ALIMENTAZIONE di MODO DMOS di AUMENTO della MANICA | Supertex Inc |
567982 | IRF523 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
567983 | IRF530 | 1Â, 100V, 0,160 Ohm, MOSFETs Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
567984 | IRF530 | N-scanalatura 100V - 0,115 OHM - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET II del CANCELLO Di 1Â To-220 | ST Microelectronics |
567985 | IRF530 | 100V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567986 | IRF530 | N - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
567987 | IRF530 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SGS Thomson Microelectronics |
567988 | IRF530 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS | Motorola |
567989 | IRF530 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567990 | IRF530 | PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura | TRSYS |
567991 | IRF530 | N-Channel Aumento-Modo Silicon Cancello | ON Semiconductor |
567992 | IRF530 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
567993 | IRF530 | 100 V, potenza transistor ad effetto di campo | TRANSYS Electronics Limited |
567994 | IRF530-D | Porta al silicio Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Del E-E-fet di TMOS | ON Semiconductor |
567995 | IRF5305 | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567996 | IRF5305L | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567997 | IRF5305PBF | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567998 | IRF5305S | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567999 | IRF5305STRL | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
568000 | IRF5305STRR | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
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