| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567961 | IRF520NS | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567962 | IRF520NSTRL | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567963 | IRF520NSTRR | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567964 | IRF520PBF | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567965 | IRF520S | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567966 | IRF520STRL | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567967 | IRF520STRR | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567968 | IRF520V | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567969 | IRF520VL | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567970 | IRF520VPBF | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567971 | IRF520VS | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567972 | IRF521 | N - VERTIKALE DMOS ENERGIE FETs DES FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS- | Supertex Inc |
| 567973 | IRF521 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567974 | IRF5210 | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567975 | IRF5210L | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567976 | IRF5210S | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567977 | IRF5210STRL | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567978 | IRF5210STRR | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567979 | IRF522 | N - VERTIKALE DMOS ENERGIE FETs DES FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS- | Supertex Inc |
| 567980 | IRF522 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567981 | IRF523 | N - VERTIKALE DMOS ENERGIE FETs DES FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS- | Supertex Inc |
| 567982 | IRF523 | N-Führung Energie MOSFETs/ 11 A 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567983 | IRF530 | 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Führung Energie MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
| 567984 | IRF530 | N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - 14A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 567985 | IRF530 | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567986 | IRF530 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 567987 | IRF530 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 567988 | IRF530 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Motorola |
| 567989 | IRF530 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567990 | IRF530 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILIKON-GATTER | TRSYS |
| 567991 | IRF530 | N-Kanal Enhancement-Mode-Silizium-Gate | ON Semiconductor |
| 567992 | IRF530 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 567993 | IRF530 | 100 V, Leistungsfeldeffekttransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 567994 | IRF530-D | TMOS E-FET Energie Fangen Effekt-Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter auf | ON Semiconductor |
| 567995 | IRF5305 | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567996 | IRF5305L | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567997 | IRF5305PBF | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567998 | IRF5305S | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567999 | IRF5305STRL | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568000 | IRF5305STRR | -55V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| | | |
