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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF533 prodotto da: |
TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF530, IRF531, IRF532, |
Scarica IRF533 datasheet de Motorola |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF533 datasheet de Samsung Electronic |
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Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF130, IRF132, IRF131, IRF133, IRF130-133, |
Scarica IRF533 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
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Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 12A. | Scarica IRF533 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 168 kb |
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MOSFET a canale N, 80V, 12A D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1, |
Scarica IRF533 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 193 kb |
IRF532FI | Vista IRF533 al nostro catalogo | IRF533F1 |