 |
|
| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
|
| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF533 Vorbei Hergestellt: | 
|
 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF530, IRF531, IRF532, |
Download IRF533 datasheet von Motorola |
pdf 163 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF533 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 358 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF130, IRF132, IRF131, IRF133, IRF130-133, |
Download IRF533 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A. | Download IRF533 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 168 kb |
 | N-Kanal-MOSFET, 80V, 12A Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1, |
Download IRF533 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 193 kb |
| IRF532FI | Ansicht IRF533 zu unserem Katalog | IRF533F1 |