|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 657 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
651SMLJ130A130.00V; 1mA; 3000W di potenza di picco degli impulsi; montaggio superficiale transitoria limitatore di sovratensione. Per le applicazioni bipolariMDE Semiconductor
652SMLJ150150.00V; 1mA; 3000W di potenza di picco degli impulsi; montaggio superficiale transitoria limitatore di sovratensione. Per le applicazioni bipolariMDE Semiconductor
653SMLJ150A150.00V; 1mA; 3000W di potenza di picco degli impulsi; montaggio superficiale transitoria limitatore di sovratensione. Per le applicazioni bipolariMDE Semiconductor
654SMLJ160160.00V; 1mA; 3000W di potenza di picco degli impulsi; montaggio superficiale transitoria limitatore di sovratensione. Per le applicazioni bipolariMDE Semiconductor
655SMLJ160A160.00V; 1mA; 3000W di potenza di picco degli impulsi; montaggio superficiale transitoria limitatore di sovratensione. Per le applicazioni bipolariMDE Semiconductor
656SMLJ170170.00V; 1mA; 3000W di potenza di picco degli impulsi; montaggio superficiale transitoria limitatore di sovratensione. Per le applicazioni bipolariMDE Semiconductor
657SMLJ170A170.00V; 1mA; 3000W di potenza di picco degli impulsi; montaggio superficiale transitoria limitatore di sovratensione. Per le applicazioni bipolariMDE Semiconductor

Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/it/mdesemiconductor/1/