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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
27301M29W800T150N1TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27302M29W800T150N5R1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27303M29W800T150N5TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27304M29W800T150N6R1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27305M29W800T150N6TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27306M29W800T90M1R1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27307M29W800T90M1TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27308M29W800T90M5R1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27309M29W800T90M5TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27310M29W800T90M6R1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27311M29W800T90M6TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27312M29W800T90N1R1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27313M29W800T90N1TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27314M29W800T90N5R1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27315M29W800T90N5TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27316M29W800T90N6R1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27317M29W800T90N6TR1Mb x8 o 512Kb x16, memoria di 8 Mbit dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione del blocchetto del caricamento del sistema singolaST Microelectronics
27318M3004TRASMETTITORE DI TELECOMANDOST Microelectronics
27319M3004LAB1TRASMETTITORE DI TELECOMANDOST Microelectronics
27320M3004LDTRASMETTITORE DI TELECOMANDOST Microelectronics
27321M3004LDTTRASMETTITORE DI TELECOMANDOST Microelectronics
27322M30L0R7000B0128 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (8Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27323M30L0R7000B0ZAQ128 Mbit (8Mb x16, Banca, Multilivelli Multipli, Burst), Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento 1.8VST Microelectronics
27324M30L0R7000B0ZAQE128 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (8Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27325M30L0R7000B0ZAQF128 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (8Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27326M30L0R7000B0ZAQT128 Mbit (8Mb x16, Banca, Multilivelli Multipli, Burst), Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento 1.8VST Microelectronics
27327M30L0R7000T0128 Mbit (8Mb x16, Banca, Multilivelli Multipli, Burst), Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento 1.8VST Microelectronics
27328M30L0R7000T0ZAQ128 Mbit (8Mb x16, Banca, Multilivelli Multipli, Burst), Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento 1.8VST Microelectronics
27329M30L0R7000T0ZAQE128 Mbit (8Mb x16, Banca, Multilivelli Multipli, Burst), Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento 1.8VST Microelectronics
27330M30L0R7000T0ZAQF128 Mbit (8Mb x16, Banca, Multilivelli Multipli, Burst), Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento 1.8VST Microelectronics
27331M30L0R7000T0ZAQT128 Mbit (8Mb x16, Banca, Multilivelli Multipli, Burst), Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento 1.8VST Microelectronics
27332M30L0R7000XX128 Mbit (8Mb x16, Banca, Multilivelli Multipli, Burst), Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento 1.8VST Microelectronics
27333M30L0R8000B0256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27334M30L0R8000B0ZAQ256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27335M30L0R8000B0ZAQE256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27336M30L0R8000B0ZAQF256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27337M30L0R8000B0ZAQT256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27338M30L0R8000T0256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27339M30L0R8000T0ZAQ256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27340M30L0R8000T0ZAQE256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27341M30L0R8000T0ZAQF256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27342M30L0R8000T0ZAQT256 Memoria Dell'Istantaneo Del Rifornimento Di Mbit (16Mb x16, La Banca, Multilivelli Multipli, Burst) 1.8VST Microelectronics
27343M30LW128D128 RIFORNIMENTO DI MBIT (DUE 64MBIT, X8/x16, BLOCCO UNIFORME, MEMORIE ISTANTANEE) 3CV, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLOST Microelectronics
27344M30LW128D110N1T128 rifornimento di Mbit (due 64Mbit, x8/x16, blocchetto dell'Uniforme, memorie istantanee) 3V, prodotto di memoria multiploST Microelectronics
27345M30LW128D110N6T128 rifornimento di Mbit (due 64Mbit, x8/x16, blocchetto dell'Uniforme, memorie istantanee) 3V, prodotto di memoria multiploST Microelectronics
27346M30LW128D110ZA1T128 rifornimento di Mbit (due 64Mbit, x8/x16, blocchetto dell'Uniforme, memorie istantanee) 3V, prodotto di memoria multiploST Microelectronics
27347M30LW128D110ZA6128 RIFORNIMENTO DI MBIT (DUE 64MBIT, X8/x16, BLOCCO UNIFORME, MEMORIE ISTANTANEE) 3CV, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLOST Microelectronics
27348M30LW128D110ZA6T128 RIFORNIMENTO DI MBIT (DUE 64MBIT, X8/x16, BLOCCO UNIFORME, MEMORIE ISTANTANEE) 3CV, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLOST Microelectronics
27349M30LW128D110ZE1T128 rifornimento di Mbit (due 64Mbit, x8/x16, blocchetto dell'Uniforme, memorie istantanee) 3V, prodotto di memoria multiploST Microelectronics
27350M30LW128D110ZE6T128 rifornimento di Mbit (due 64Mbit, x8/x16, blocchetto dell'Uniforme, memorie istantanee) 3V, prodotto di memoria multiploST Microelectronics
27351M30W0R6500T096 Rifornimento Di Mbit (64 + 32Mb, x16, La Banca Multipla, Burst, Memorie Istantanee) 1.8V, Pacchetto Del Multi-Circuito integratoST Microelectronics
27352M30W0R6500T0ZAQT96 Rifornimento Di Mbit (64 + 32Mb, x16, La Banca Multipla, Burst, Memorie Istantanee) 1.8V, Pacchetto Del Multi-Circuito integratoST Microelectronics
27353M30W0R7000B1128 memoria dell'istantaneo del rifornimento di Mbit (8Mb x 16, la Banca multipla, burst) 1.8VST Microelectronics
27354M30W0R7000B1ZAQF128 memoria dell'istantaneo del rifornimento di Mbit (8Mb x 16, la Banca multipla, burst) 1.8VST Microelectronics
27355M34116CIRCUITO DI CHIAMATA DI CONGRESSO DEL PCM E DELLA GENERAZIONE DI TONOST Microelectronics
27356M34116B1CIRCUITO DI CHIAMATA DI CONGRESSO DEL PCM E DELLA GENERAZIONE DI TONOST Microelectronics
27357M34116C1CIRCUITO DI CHIAMATA DI CONGRESSO DEL PCM E DELLA GENERAZIONE DI TONOST Microelectronics
27358M3488TABELLA Di COMMUTAZIONE Di 256 X 256 DIFGITALST Microelectronics
27359M3488B1TABELLA Di COMMUTAZIONE Di 256 X 256 DIFGITALST Microelectronics
27360M3488Q1TABELLA Di COMMUTAZIONE Di 256 X 256 DIFGITALST Microelectronics
27361M3493B1MEMORIA Di CONTROLLO Di CROSSPOINTWITH Di Cmos 12 X 8ST Microelectronics
27362M3493B2INCROCIO DI CMOS 12CX8 CON LA MEMORIA DI CONTROLLOST Microelectronics
27363M34A022 KBIT SMBUS DI SERIE EEPROM PER LA CONFIGURAZIONE DELLA SCHEDA DEL ACRST Microelectronics
27364M34A02-V2 KBIT SMBUS DI SERIE EEPROM PER LA CONFIGURAZIONE DELLA SCHEDA DEL ACRST Microelectronics
27365M34A02DW2 Kbit SMBus di serie EEPROM per la configurazione della scheda del ACRST Microelectronics
27366M34A02MN2 Kbit SMBus di serie EEPROM per la configurazione della scheda del ACRST Microelectronics
27367M34A08-VDW6T2 Kbit SMBus di serie EEPROM per la configurazione della scheda del ACRST Microelectronics
27368M34A08-VMN6T2 Kbit SMBus di serie EEPROM per la configurazione della scheda del ACRST Microelectronics
27369M34C00UN BUS BIT-seriale EEPROM Di 3 X 128 I˛C PER Le Ee-modificheST Microelectronics
27370M34C00-WUN BUS BIT-seriale EEPROM Di 3 X 128 I˛C PER Le Ee-modificheST Microelectronics
27371M34C00-WDW6TUN BUS BIT-seriale EEPROM Di 3 X 128 I˛C PER Le Ee-modificheST Microelectronics
27372M34C00-WMN6UN BUS BIT-seriale EEPROM Di 3 X 128 I˛C PER Le Ee-modificheST Microelectronics
27373M34C00-WMN6TUN BUS BIT-seriale EEPROM Di 3 X 128 I˛C PER Le Ee-modificheST Microelectronics
27374M34C00DWbus bit-seriale EEPROM di IC 3 x 128 per le ee-ModificheST Microelectronics
27375M34C00MNbus bit-seriale EEPROM di IC 3 x 128 per le ee-ModificheST Microelectronics
27376M34C02Una PUBBLICAZIONE PERIODICA I Di 2 KBITST Microelectronics
27377M34C02-LUna PUBBLICAZIONE PERIODICA I Di 2 KBITST Microelectronics
27378M34C02-LBN6T2 Kbit I.?Bus Di serie EEPROM Per Presenza Di serie di DIMM RilevanoST Microelectronics
27379M34C02-LDW6TIl Bus Di serie EEPROM di IC Di 2 Kbit Per Presenza Di serie di DIMM RilevaST Microelectronics
27380M34C02-LMN6T2 Kbit I.?Bus Di serie EEPROM Per Presenza Di serie di DIMM RilevanoST Microelectronics
27381M34C02-RUna PUBBLICAZIONE PERIODICA I Di 2 KBITST Microelectronics
27382M34C02-RDW6Il Bus Di serie EEPROM di IC Di 2 Kbit Per Presenza Di serie di DIMM RilevaST Microelectronics
27383M34C02-RDW6TIl Bus Di serie EEPROM di IC Di 2 Kbit Per Presenza Di serie di DIMM RilevaST Microelectronics
27384M34C02-WUna PUBBLICAZIONE PERIODICA I Di 2 KBITST Microelectronics
27385M34C02-WBN6T2 Kbit I.?Bus Di serie EEPROM Per Presenza Di serie di DIMM RilevanoST Microelectronics
27386M34C02-WDW6TIl Bus Di serie EEPROM di IC Di 2 Kbit Per Presenza Di serie di DIMM RilevaST Microelectronics
27387M34C02-WMN6T2 Kbit I.?Bus Di serie EEPROM Per Presenza Di serie di DIMM RilevanoST Microelectronics
27388M34C02BN2 Kbit I.?Bus Di serie EEPROM Per Presenza Di serie di DIMM RilevanoST Microelectronics
27389M34C02DW2 Kbit I.?Bus Di serie EEPROM Per Presenza Di serie di DIMM RilevanoST Microelectronics
27390M34C02MN2 Kbit I.?Bus Di serie EEPROM Per Presenza Di serie di DIMM RilevanoST Microelectronics
27391M34D3264/32 di bus di serie EEPROM di IC di Kbit con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27392M34D32BN64/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27393M34D32BNT164/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27394M34D32BNT564/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27395M34D32BNT664/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27396M34D32MN64/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27397M34D32MNT164/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27398M34D32MNT564/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27399M34D32RBNT164/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics
27400M34D32RBNT564/32 di Kbit I.?Bus di serie EEPROM con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaST Microelectronics

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