|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Les fiches techniques ont trouvé :: 2992 English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
2501SMBJ5923DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 8,2 V. Courant d'essai de 45,7 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2502SMBJ5924DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2503SMBJ5924AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener de 9,1 V. Courant d'essai de 41,2 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2504SMBJ5924BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener de 9,1 V. Courant d'essai de 41,2 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2505SMBJ5924CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener de 9,1 V. Courant d'essai de 41,2 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2506SMBJ5924DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener de 9,1 V. Courant d'essai de 41,2 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2507SMBJ5925DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2508SMBJ5925AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 10 V. Courant d'essai de 37,5 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2509SMBJ5925BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 10 V. Courant d'essai de 37,5 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2510SMBJ5925CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 10 V. Courant d'essai de 37,5 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2511SMBJ5925DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 10 V. Courant d'essai de 37,5 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2512SMBJ5926DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2513SMBJ5926AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 11 V. Courant d'essai de 34,1 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2514SMBJ5926BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 11 V. Courant d'essai de 34,1 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2515SMBJ5926CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 11 V. Courant d'essai de 34,1 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2516SMBJ5926DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 11 V. Courant d'essai de 34,1 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2517SMBJ5927DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2518SMBJ5927AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 12 V. Courant d'essai de 31,2 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2519SMBJ5927BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 12 V. Courant d'essai de 31,2 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2520SMBJ5927CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 12 V. Courant d'essai de 31,2 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2521SMBJ5927DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 12 V. Courant d'essai de 31,2 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2522SMBJ5928DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2523SMBJ5928AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 13 V. Courant d'essai de 28,8 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2524SMBJ5928BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 13 V. Courant d'essai de 28,8 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2525SMBJ5928CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 13 V. Courant d'essai de 28,8 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2526SMBJ5928DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 13 V. Courant d'essai de 28,8 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2527SMBJ5929DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2528SMBJ5929AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 15 V. Courant d'essai de 25,0 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2529SMBJ5929BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 15 V. Courant d'essai de 25,0 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device



2530SMBJ5929CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 15 V. Courant d'essai de 25,0 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2531SMBJ5929DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 15 V. Courant d'essai de 25,0 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2532SMBJ5930DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2533SMBJ5930AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 16 V. Courant d'essai de 23,4 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2534SMBJ5930BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 16 V. Courant d'essai de 23,4 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2535SMBJ5930CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 16 V. Courant d'essai de 23,4 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2536SMBJ5930DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 16 V. Courant d'essai de 23,4 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2537SMBJ5931DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2538SMBJ5931AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 18 V. Courant d'essai de 20,8 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2539SMBJ5931BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 18 V. Courant d'essai de 20,8 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2540SMBJ5931CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 18 V. Courant d'essai de 20,8 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2541SMBJ5931DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 18 V. Courant d'essai de 20,8 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2542SMBJ5932DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2543SMBJ5932AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 20 V. Courant d'essai de 18,7 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2544SMBJ5932BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 20 V. Courant d'essai de 18,7 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2545SMBJ5932CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 20 V. Courant d'essai de 18,7 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2546SMBJ5932DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 20 V. Courant d'essai de 18,7 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2547SMBJ5933DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2548SMBJ5933AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 22 V. Courant d'essai de 17,0 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2549SMBJ5933BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 22 V. Courant d'essai de 17,0 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2550SMBJ5933CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 22 V. Courant d'essai de 17,0 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/jinangudeelectronicdevice/1/