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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
2551SMBJ5933DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 22 V. Courant d'essai de 17,0 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2552SMBJ5934DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2553SMBJ5934AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 24 V. Courant d'essai de 15,6 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2554SMBJ5934BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 24 V. Courant d'essai de 15,6 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2555SMBJ5934CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 24 V. Courant d'essai de 15,6 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2556SMBJ5934DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 24 V. Courant d'essai de 15,6 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2557SMBJ5935DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2558SMBJ5935AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 27 V. Courant d'essai de 13,9 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2559SMBJ5935BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 27 V. Courant d'essai de 13,9 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2560SMBJ5935CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 27 V. Courant d'essai de 13,9 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2561SMBJ5935DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 27 V. Courant d'essai de 13,9 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2562SMBJ5936DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2563SMBJ5936AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 30 V. Courant d'essai de 12,5 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2564SMBJ5936BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 30 V. Courant d'essai de 12,5 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2565SMBJ5936CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 30 V. Courant d'essai de 12,5 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2566SMBJ5936DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 30 V. Courant d'essai de 12,5 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2567SMBJ5937DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2568SMBJ5937AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 33 V. Courant d'essai de 11,4 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2569SMBJ5937BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 33 V. Courant d'essai de 11,4 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2570SMBJ5937CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 33 V. Courant d'essai de 11,4 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2571SMBJ5937DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 33 V. Courant d'essai de 11,4 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2572SMBJ5938DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2573SMBJ5938AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 36 V. Courant d'essai de 10,4 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2574SMBJ5938BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 36 V. Courant d'essai de 10,4 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2575SMBJ5938CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 36 V. Courant d'essai de 10,4 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2576SMBJ5938DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 36 V. Courant d'essai de 10,4 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2577SMBJ5939DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2578SMBJ5939AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 39 V. Courant d'essai de 9,6 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2579SMBJ5939BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 39 V. Courant d'essai de 9,6 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device



2580SMBJ5939CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 39 V. Courant d'essai de 9,6 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2581SMBJ5939DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 39 V. Courant d'essai de 9,6 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2582SMBJ5940DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2583SMBJ5940AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 43 V. Courant d'essai de 8,7 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2584SMBJ5940BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 43 V. Courant d'essai de 8,7 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2585SMBJ5940CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 43 V. Courant d'essai de 8,7 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2586SMBJ5940DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 43 V. Courant d'essai de 8,7 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2587SMBJ5941DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2588SMBJ5941AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 47 V. Courant d'essai de 8,0 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2589SMBJ5941BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 47 V. Courant d'essai de 8,0 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2590SMBJ5941CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 47 V. Courant d'essai de 8,0 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2591SMBJ5941DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 47 V. Courant d'essai de 8,0 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2592SMBJ5942DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2593SMBJ5942AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 51 V. Courant d'essai de 7,3 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2594SMBJ5942BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 51 V. Courant d'essai de 7,3 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2595SMBJ5942CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 51 V. Courant d'essai de 7,3 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2596SMBJ5942DMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 51 V. Courant d'essai de 7,3 mA. + -1% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2597SMBJ5943DIODES ZENER DE BÂTI DE SURFACE DU SILICIUM 1.5cWJinan Gude Electronic Device
2598SMBJ5943AMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 56 V. Courant d'essai de 6,7 mA. + -10% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2599SMBJ5943BMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 56 V. Courant d'essai de 6,7 mA. + -5% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device
2600SMBJ5943CMontage en surface de silicium 1.5W diode Zener. tension Zener 56 V. Courant d'essai de 6,7 mA. + -2% De tolérance.Jinan Gude Electronic Device

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