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Les fiches techniques ont trouvé :: 2221

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
801	AQY214EHA	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E. 1-canal (formulaire A). Type AC / DC. I / O tension d'isolation renforcée 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
802	AQY214EHAX	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E. 1-canal (formulaire A). Type AC / DC. I / O tension d'isolation renforcée 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
803	AQY214EHAZ	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E. 1-canal (formulaire A). Type AC / DC. I / O tension d'isolation renforcée 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
804	AQY214S	Type Série de GU (Utilisation Générale) de SOP Les 1Manche (4-Goupilles Type De Forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
805	AQY214SX	Type Série de GU (Utilisation Générale) de SOP Les 1Manche (4-Goupilles Type De Forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
806	AQY214SZ	Type Série de GU (Utilisation Générale) de SOP Les 1Manche (4-Goupilles Type De Forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
807	AQY221N1S	Rf (fréquence par radio) C x type de R 20	Matsushita Electric Works(Nais)
808	AQY221N1SX	Mosfet relais, RF (fréquence radio). R 20 x C genre. Type AC / DC. Puissance de sortie: tension de charge 40 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
809	AQY221N1SZ	Mosfet relais, RF (fréquence radio). R 20 x C genre. Type AC / DC. Puissance de sortie: tension de charge 40 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
810	AQY221N2S	RELAIS DE PHOTOMOS	Matsushita Electric Works(Nais)
811	AQY221N2SX	RELAIS DE PHOTOMOS	Matsushita Electric Works(Nais)
812	AQY221N2SZ	RELAIS DE PHOTOMOS	Matsushita Electric Works(Nais)
813	AQY221N2VW	Mosfet relais, RF (fréquence radio). C x R 10 Type. 1 forme A. Type AC / DC. Puissance de sortie: tension de charge 40 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
814	AQY221N2VY	Mosfet relais, RF (fréquence radio). C x R 10 Type. 1 forme A. Type AC / DC. Puissance de sortie: tension de charge 40 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
815	AQY221N3V	RELAIS De PhotoMOS	Matsushita Electric Works(Nais)
816	AQY221N3VW	RELAIS De PhotoMOS	Matsushita Electric Works(Nais)
817	AQY221N3VY	RELAIS De PhotoMOS	Matsushita Electric Works(Nais)
818	AQY221R2SX	Mosfet relais, RF (fréquence radio). 1 forme A, R 10 Type. Puissance de sortie: tension de charge 40 V, courant de charge de 250 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
819	AQY221R2SZ	Mosfet relais, RF (fréquence radio). 1 forme A, R 10 Type. Puissance de sortie: tension de charge 40 V, courant de charge de 250 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
820	AQY272	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
821	AQY272A	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
822	AQY272AX	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
823	AQY272AZ	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
824	AQY274	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
825	AQY274A	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
826	AQY274AX	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
827	AQY274AZ	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
828	AQY275	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
829	AQY275A	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)

830	AQY275AX	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
831	AQY275AZ	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
832	AQY277	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
833	AQY277A	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
834	AQY277AX	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
835	AQY277AZ	Canal du type 1 de palladium (type de forme A)	Matsushita Electric Works(Nais)
836	AQY410EH	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E, 1-canal (forme B). Type AC / DC. I / O isolastion fortifiais 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 350 V, courant de charge de 130 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
837	AQY410EHA	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E, 1-canal (forme B). Type AC / DC. I / O isolastion fortifiais 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 350 V, courant de charge de 130 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
838	AQY410EHAX	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E, 1-canal (forme B). Type AC / DC. I / O isolastion fortifiais 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 350 V, courant de charge de 130 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
839	AQY410EHAZ	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E, 1-canal (forme B). Type AC / DC. I / O isolastion fortifiais 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 350 V, courant de charge de 130 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
840	AQY410SX	Mosfet relais, GU (usage général) de type 1 canal (forme B). Puissance de sortie: tension de charge 350 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
841	AQY410SZ	Mosfet relais, GU (usage général) de type 1 canal (forme B). Puissance de sortie: tension de charge 350 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
842	AQY414EH	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E, 1-canal (forme B). Type AC / DC. I / O isolastion fortifiais 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
843	AQY414EHA	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E, 1-canal (forme B). Type AC / DC. I / O isolastion fortifiais 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
844	AQY414EHAX	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E, 1-canal (forme B). Type AC / DC. I / O isolastion fortifiais 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
845	AQY414EHAZ	Mosfet relais, GU (usage général) Type de -E, 1-canal (forme B). Type AC / DC. I / O isolastion fortifiais 5,000V. Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 120 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
846	AQY414SX	Mosfet relais, GU (usage général) de type 1 canal (forme B). Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 100 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
847	AQY414SZ	Mosfet relais, GU (usage général) de type 1 canal (forme B). Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 100 mA.	Matsushita Electric Works(Nais)
848	AQZ102	photoMOS de relais de puissance, 1-canal (formulaire A). Type DC. Puissance de sortie: tension de charge 60 V, courant de charge 4.0 A.	Matsushita Electric Works(Nais)
849	AQZ102D	photoMOS de relais de puissance (de type sensible à la tension). Type DC. Puissance de sortie: tension de charge 60 V, courant de charge de 3,6 A.	Matsushita Electric Works(Nais)
850	AQZ104	photoMOS de relais de puissance, 1-canal (formulaire A). Type DC. Puissance de sortie: tension de charge 400 V, courant de charge de 0,7 A.	Matsushita Electric Works(Nais)

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