Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
801 | AQY214EHA | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ. 1-Kanal (Form A). AC / DC-Typ. I / O-Isolationsspannung verstärkt 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
802 | AQY214EHAX | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ. 1-Kanal (Form A). AC / DC-Typ. I / O-Isolationsspannung verstärkt 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
803 | AQY214EHAZ | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ. 1-Kanal (Form A). AC / DC-Typ. I / O-Isolationsspannung verstärkt 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
804 | AQY214S | GU (Allgemeiner Gebrauch) Art Sop Reihe 1 Führung (Form A) 4-Stifte Art | Matsushita Electric Works(Nais) |
805 | AQY214SX | GU (Allgemeiner Gebrauch) Art Sop Reihe 1 Führung (Form A) 4-Stifte Art | Matsushita Electric Works(Nais) |
806 | AQY214SZ | GU (Allgemeiner Gebrauch) Art Sop Reihe 1 Führung (Form A) 4-Stifte Art | Matsushita Electric Works(Nais) |
807 | AQY221N1S | Rf (Hochfrequenz) C x R 20 Art | Matsushita Electric Works(Nais) |
808 | AQY221N1SX | PhotoMOS Relais, RF (Radiofrequenz). C x R 20 Typ. AC / DC-Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 40 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
809 | AQY221N1SZ | PhotoMOS Relais, RF (Radiofrequenz). C x R 20 Typ. AC / DC-Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 40 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
810 | AQY221N2S | PHOTOMOS RELAIS | Matsushita Electric Works(Nais) |
811 | AQY221N2SX | PHOTOMOS RELAIS | Matsushita Electric Works(Nais) |
812 | AQY221N2SZ | PHOTOMOS RELAIS | Matsushita Electric Works(Nais) |
813 | AQY221N2VW | PhotoMOS Relais, RF (Radiofrequenz). C x R 10 Typ. 1 Form A AC / DC-Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 40 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
814 | AQY221N2VY | PhotoMOS Relais, RF (Radiofrequenz). C x R 10 Typ. 1 Form A AC / DC-Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 40 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
815 | AQY221N3V | PhotoMOS RELAIS | Matsushita Electric Works(Nais) |
816 | AQY221N3VW | PhotoMOS RELAIS | Matsushita Electric Works(Nais) |
817 | AQY221N3VY | PhotoMOS RELAIS | Matsushita Electric Works(Nais) |
818 | AQY221R2SX | PhotoMOS Relais, RF (Radiofrequenz). 1 Form A, R 10 Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 40 V, Laststrom 250 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
819 | AQY221R2SZ | PhotoMOS Relais, RF (Radiofrequenz). 1 Form A, R 10 Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 40 V, Laststrom 250 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
820 | AQY272 | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
821 | AQY272A | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
822 | AQY272AX | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
823 | AQY272AZ | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
824 | AQY274 | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
825 | AQY274A | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
826 | AQY274AX | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
827 | AQY274AZ | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
828 | AQY275 | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
829 | AQY275A | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
830 | AQY275AX | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
831 | AQY275AZ | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
832 | AQY277 | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
833 | AQY277A | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
834 | AQY277AX | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
835 | AQY277AZ | Palladium Art 1 Führung (Art der Form-A) | Matsushita Electric Works(Nais) |
836 | AQY410EH | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ, 1-Kanal (Form B). AC / DC-Typ. I / O isolastion verstärkten 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 350 V, Laststrom 130 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
837 | AQY410EHA | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ, 1-Kanal (Form B). AC / DC-Typ. I / O isolastion verstärkten 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 350 V, Laststrom 130 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
838 | AQY410EHAX | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ, 1-Kanal (Form B). AC / DC-Typ. I / O isolastion verstärkten 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 350 V, Laststrom 130 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
839 | AQY410EHAZ | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ, 1-Kanal (Form B). AC / DC-Typ. I / O isolastion verstärkten 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 350 V, Laststrom 130 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
840 | AQY410SX | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) Typ 1-Kanal (Form B). Ausgangsleistung: Lastspannung 350 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
841 | AQY410SZ | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) Typ 1-Kanal (Form B). Ausgangsleistung: Lastspannung 350 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
842 | AQY414EH | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ, 1-Kanal (Form B). AC / DC-Typ. I / O isolastion verstärkten 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
843 | AQY414EHA | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ, 1-Kanal (Form B). AC / DC-Typ. I / O isolastion verstärkten 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
844 | AQY414EHAX | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ, 1-Kanal (Form B). AC / DC-Typ. I / O isolastion verstärkten 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
845 | AQY414EHAZ | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) -E-Typ, 1-Kanal (Form B). AC / DC-Typ. I / O isolastion verstärkten 5,000V. Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 120 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
846 | AQY414SX | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) Typ 1-Kanal (Form B). Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 100 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
847 | AQY414SZ | PhotoMOS Relais, GU (allgemeine Verwendung) Typ 1-Kanal (Form B). Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 100 mA. | Matsushita Electric Works(Nais) |
848 | AQZ102 | Strom Foto-MOS-Relais, 1-Kanal (Form A). DC-Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 60 V, Laststrom 4,0 A. | Matsushita Electric Works(Nais) |
849 | AQZ102D | Strom Foto-MOS-Relais (spannungsempfindlichen Typ). DC-Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 60 V, Laststrom 3,6 A. | Matsushita Electric Works(Nais) |
850 | AQZ104 | Strom Foto-MOS-Relais, 1-Kanal (Form A). DC-Typ. Ausgangsleistung: Lastspannung 400 V, Laststrom 0,7 A. | Matsushita Electric Works(Nais) |
| | | |