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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1198201TC59S6404BFTL-804.194.304-palavras x 4BANKS x 4 bits RAM dinâmica síncronaTOSHIBA
1198202TC59S6408SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198203TC59S6408SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198204TC59S6408BFTSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198205TC59S6408BFTSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198206TC59S6408BFT-10SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198207TC59S6408BFT-10SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198208TC59S6408BFT-80RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198209TC59S6408BFT-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198210TC59S6408BFT-80RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198211TC59S6408BFT-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198212TC59S6408BFT/BFTL-80RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198213TC59S6408BFT/BFTL-80RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198214TC59S6408BFT/BFTL10RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198215TC59S6408BFT/BFTL10RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198216TC59S6408BFTLSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198217TC59S6408BFTLSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198218TC59S6408BFTL-10SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198219TC59S6408BFTL-10SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA



1198220TC59S6408BFTL-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198221TC59S6408BFTL-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198222TC59S6416RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198223TC59S6416RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198224TC59S6416-10SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198225TC59S6416-10SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198226TC59S6416-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198227TC59S6416-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198228TC59S6416BFTSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198229TC59S6416BFTSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198230TC59S6416BFT-101.048.576-palavras x 4BANKS x 16 bits RAM dinâmica síncronaTOSHIBA
1198231TC59S6416BFT-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198232TC59S6416BFT-80SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198233TC59S6416BFT/BFTL-80RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198234TC59S6416BFT/BFTL-80RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198235TC59S6416BFT/BFTL10RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198236TC59S6416BFT/BFTL10RAM DINÂMICA SYNCHRONOUS De 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198237TC59S6416BFTLSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198238TC59S6416BFTLSILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DO MOS DIGITAL MONOLÍTICOTOSHIBA
1198239TC59S6416BFTL-101.048.576-palavras x 4BANKS x 16 bits RAM dinâmica síncronaTOSHIBA
1198240TC59S6416BFTL-801.048.576-palavras x 4BANKS x 16 bits RAM dinâmica síncronaTOSHIBA
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