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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
253721BCR129TTransistor de Digital - R1 = kOhm 10Infineon
253722BCR129WÚnicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SOT323Infineon
253723BCR129WE6327Transistor de Digital - R1 = kOhm 10Infineon
253724BCR12CMTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253725BCR12CMVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253726BCR12CM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253727BCR12CM-12Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253728BCR12CM-12LVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253729BCR12CM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253730BCR12CM-8Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253731BCR12CM-8LVolts Amperes/400-600 Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253732BCR12CSTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253733BCR12CSTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONPowerex Power Semiconductors
253734BCR12CS-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253735BCR12CS-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253736BCR12KM-14TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253737BCR12PMTIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253738BCR12PMVolts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253739BCR12PM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation



253740BCR12PM-12Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253741BCR12PM-12LVolts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253742BCR12PM-14Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253743BCR12PM-14TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253744BCR12PM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253745BCR12PM-8Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253746BCR12PM-8LVolts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 12Powerex Power Semiconductors
253747BCR12UMTIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253748BCR133Transistor de Digital - kOhm R1=10; KOhm R2=10Infineon
253749BCR133Transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador)Siemens
253750BCR133FÚnicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3Infineon
253751BCR133FE6327Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10Infineon
253752BCR133L3Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSLP-3Infineon
253753BCR133L3E6327Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10Infineon
253754BCR133STransistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SOT363Infineon
253755BCR133SDisposição do transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador)Siemens
253756BCR133TTransistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10Infineon
253757BCR133UTransistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SC74Infineon
253758BCR133WTransistor de Digital - kOhm R1=10; KOhm R2=10Infineon
253759BCR133WTransistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador)Siemens
253760BCR135Transistor de Digital - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 47Infineon
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