| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 258801 | BF-U812RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258802 | BF-U813RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258803 | BF-U813RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258804 | BF-U814RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258805 | BF-U814RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258806 | BF-U815RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258807 | BF-U815RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258808 | BF-U815RE | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258809 | BF-U815RE | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258810 | BF-U816RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258811 | BF-U816RD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258812 | BF-U81DRD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258813 | BF-U81DRD | ÚNICAS EXPOSIÇÕES DE DIODO EMISSOR DE LUZ DO DÍGITO | Yellow Stone Corp |
| 258814 | BF1005 | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258815 | BF1005 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 258816 | BF1005R | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=5V, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258817 | BF1005S | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=5V, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258818 | BF1005S | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 258819 | BF1005SR | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 258820 | BF1005SW | Tetrode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 258821 | BF1005W | Tetrode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 258822 | BF1009 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone para... | Infineon |
| 258823 | BF1009 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, o ganho elevado controlou estágios da entrada até a rede diagonal estabilizada integrada V se operando da tensão 9 do 1GHz | Siemens |
| 258824 | BF1009S | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet na demanda | Infineon |
| 258825 | BF1009S | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone para... | Infineon |
| 258826 | BF1009S | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal integrada 9V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 258827 | BF1009SR | RF-MOSFET - integrado completamente inclinando a rede, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet na demanda | Infineon |
| 258828 | BF1012 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, o ganho elevado controlou estágios da entrada até a rede diagonal estabilizada integrada 12V se operando da tensão do 1GHz | Siemens |
| 258829 | BF1012S | Tetrode do Mosfet Da N-Canaleta Do Silicone | Infineon |
| 258830 | BF1012S | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 258831 | BF1012W | TETRODE do MOSFET do SILICONE N-CHANNEL (para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz) | Siemens |
| 258832 | BF1100 | MOS-FETs Dual-gate | Philips |
| 258833 | BF1100 | N-MOSFET canal dual-gate | NXP Semiconductors |
| 258834 | BF1100R | MOS-FETs Dual-gate | Philips |
| 258835 | BF1100WR | Mos-FET Dual-gate | Philips |
| 258836 | BF1100WR | N-MOSFET canal dual-gate | NXP Semiconductors |
| 258837 | BF1101 | mOS-FETs dual-gate da N-canaleta | Philips |
| 258838 | BF1101R | mOS-FETs dual-gate da N-canaleta | Philips |
| 258839 | BF1101WR | mOS-FETs dual-gate da N-canaleta | Philips |
| 258840 | BF1101WR | N-MOSFET canal dual-gate | NXP Semiconductors |
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