Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
258801 | BF-U812RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258802 | BF-U813RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258803 | BF-U813RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258804 | BF-U814RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258805 | BF-U814RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258806 | BF-U815RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258807 | BF-U815RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258808 | BF-U815RE | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258809 | BF-U815RE | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258810 | BF-U816RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258811 | BF-U816RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258812 | BF-U81DRD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258813 | BF-U81DRD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
258814 | BF1005 | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
258815 | BF1005 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
258816 | BF1005R | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
258817 | BF1005S | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
258818 | BF1005S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
258819 | BF1005SR | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
258820 | BF1005SW | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
258821 | BF1005W | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
258822 | BF1009 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode für... | Infineon |
258823 | BF1009 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, steuerte hoher Gewinn Eingang Stadien bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 9 V integriertem stabilisiertem schrägem Netz | Siemens |
258824 | BF1009S | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB voll, beeinflussend; Datasheet Bedarfs- | Infineon |
258825 | BF1009S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode für... | Infineon |
258826 | BF1009S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 9V integriertem schrägem Netz) | Siemens |
258827 | BF1009SR | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB voll, beeinflussend; Datasheet Bedarfs- | Infineon |
258828 | BF1012 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, steuerte hoher Gewinn Eingang Stadien bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 12V integriertem stabilisiertem schrägem Netz | Siemens |
258829 | BF1012S | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
258830 | BF1012S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
258831 | BF1012W | SILIKONN-CHANNEL MOSFET TETRODE (für lärmarmen, gewinnen-kontrollierten Eingang inszeniert bis 1 Gigahertz) | Siemens |
258832 | BF1100 | Dual-gate MOS-FETs | Philips |
258833 | BF1100 | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
258834 | BF1100R | Dual-gate MOS-FETs | Philips |
258835 | BF1100WR | Dual-gate Mos-FET | Philips |
258836 | BF1100WR | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
258837 | BF1101 | N-Führung dual-gate MOS-FETs | Philips |
258838 | BF1101R | N-Führung dual-gate MOS-FETs | Philips |
258839 | BF1101WR | N-Führung dual-gate MOS-FETs | Philips |
258840 | BF1101WR | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
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