| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 44241 | 2N2102 | SILICONE DO TRANSISTOR NPN DO AMPLIFICADOR | Boca Semiconductor Corporation |
| 44242 | 2N2102 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44243 | 2N2102 | 1.000W RF NPN metal pode transistor. 65V VCEO, 1.000A Ic, 40-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44244 | 2N2102 | Poder silício Médio NPN planar transistor. | General Electric Solid State |
| 44245 | 2N2102A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44246 | 2N2107 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44247 | 2N2150 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44248 | 2N2151 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44249 | 2N2175 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL | Central Semiconductor |
| 44250 | 2N2175 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL | Central Semiconductor |
| 44251 | 2N2177 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL | Central Semiconductor |
| 44252 | 2N2177 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL | Central Semiconductor |
| 44253 | 2N2192B | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44254 | 2N2193 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 44255 | 2N2193B | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44256 | 2N2194 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
| 44257 | 2N2194 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
| 44258 | 2N2195B | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44259 | 2N2205 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44260 | 2N2218 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44261 | 2N2218 | INTERRUPTORES HIGH-SPEED | SGS Thomson Microelectronics |
| 44262 | 2N2218 | INTERRUPTORES HIGH-SPEED | SGS Thomson Microelectronics |
| 44263 | 2N2218 | Transistor Planar Do Silicone de NPN | Siemens |
| 44264 | 2N2218 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44265 | 2N2218 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
| 44266 | 2N2218 | INTERRUPTORES HIGH-SPEED | ST Microelectronics |
| 44267 | 2N2218 | 0.800W Uso Geral NPN metal pode transistor. 30V VCEO, 0.800A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44268 | 2N2218 | NPN sinal pequeno amplificador de uso geral e switch. | Fairchild Semiconductor |
| 44269 | 2N2218-2N2219 | INTERRUPTORES HIGH-SPEED | ST Microelectronics |
| 44270 | 2N2218A | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44271 | 2N2218A | Transistor Planar Do Silicone de NPN | Siemens |
| 44272 | 2N2218A | TRANSISTOR PLANAR DO SWITCHING DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 44273 | 2N2218A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44274 | 2N2218A | 0.800W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 40V, 0.800A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44275 | 2N2218A | NPN sinal pequeno amplificador de uso geral e switch. | Fairchild Semiconductor |
| 44276 | 2N2218AL | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44277 | 2N2218L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44278 | 2N2219 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44279 | 2N2219 | INTERRUPTORES HIGH-SPEED | SGS Thomson Microelectronics |
| 44280 | 2N2219 | INTERRUPTORES HIGH-SPEED | SGS Thomson Microelectronics |
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