|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 1102 | 1103 | 1104 | 1105 | 1106 | 1107 | 1108 | 1109 | 1110 | 1111 | 1112 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
442412N2102SILIKON DES VERSTÄRKER-TRANSISTOR-NPNBoca Semiconductor Corporation
442422N2102Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
442432N21021.000W RF NPN Metall kann der Transistor. 65V Vceo, 1.000A Ic, 40-120 hFE.Continental Device India Limited
442442N2102Mittlerer Leistung Silizium NPN Planartransistor.General Electric Solid State
442452N2102AVerbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
442462N2107Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
442472N2150NPN TransistorMicrosemi
442482N2151NPN TransistorMicrosemi
442492N2175KLEINE SIGNAL-TRANSISTORENCentral Semiconductor
442502N2175KLEINE SIGNAL-TRANSISTORENCentral Semiconductor
442512N2177KLEINE SIGNAL-TRANSISTORENCentral Semiconductor
442522N2177KLEINE SIGNAL-TRANSISTORENCentral Semiconductor
442532N2192BVerbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
442542N2193NPN SILIKON-TRANSISTORMicro Electronics
442552N2193BVerbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
442562N2194Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39.SemeLAB
442572N2194Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39.SemeLAB
442582N2195BVerbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor



442592N2205Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
442602N2218NPN TransistorMicrosemi
442612N2218HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTERSGS Thomson Microelectronics
442622N2218HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTERSGS Thomson Microelectronics
442632N2218NPN Silikon-Planare TransistorenSiemens
442642N2218Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
442652N2218Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39.SemeLAB
442662N2218HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTERST Microelectronics
442672N22180.800W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 30V Vceo, 0.800A Ic, 20 hFE.Continental Device India Limited
442682N2218NPN Kleinsignalallzweckverstärker & Schalter.Fairchild Semiconductor
442692N2218-2N2219HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTERST Microelectronics
442702N2218ANPN TransistorMicrosemi
442712N2218ANPN Silikon-Planare TransistorenSiemens
442722N2218ANPN SILIKON-PLANARE SCHALTUNG TRANSISTORENBoca Semiconductor Corporation
442732N2218AVerbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
442742N2218A0.800W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 40V Vceo, 0.800A Ic, 20 hFE.Continental Device India Limited
442752N2218ANPN Kleinsignalallzweckverstärker & Schalter.Fairchild Semiconductor
442762N2218ALNPN TransistorMicrosemi
442772N2218LNPN TransistorMicrosemi
442782N2219NPN TransistorMicrosemi
442792N2219HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTERSGS Thomson Microelectronics
442802N2219HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTERSGS Thomson Microelectronics
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 1102 | 1103 | 1104 | 1105 | 1106 | 1107 | 1108 | 1109 | 1110 | 1111 | 1112 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com