| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 49001 | 2N6520 | 0.625W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 350V VCEO, 0.500A Ic, 20 - hFE | Continental Device India Limited |
| 49002 | 2N6520 | Ic = 500mA, Vce = 10V transistor | MCC |
| 49003 | 2N6520 | Transistores de alta tensão. Tensão coletor-emissor: VCEO = -350V. Tensão colector-base: VCBO = -350V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 49004 | 2N6520 | PNP SILICONE PLANAR média potência TRANSISTOR | Diodes |
| 49005 | 2N6520BU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 49006 | 2N6520RL1 | Transistores de Alta Tensão | ON Semiconductor |
| 49007 | 2N6520RLRA | Transistor De alta tensão | ON Semiconductor |
| 49008 | 2N6520RLRM | Transistores de Alta Tensão | ON Semiconductor |
| 49009 | 2N6520TA | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 49010 | 2N6530 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49011 | 2N6530 | 8 A NPN Darlington transistor de potência. 80 V. 60 W. Ganho de 1000 a 5 A. | General Electric Solid State |
| 49012 | 2N6531 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49013 | 2N6531 | 8 A NPN Darlington transistor de potência. 100 V. 60 W. ganho de 500 a 3 A. | General Electric Solid State |
| 49014 | 2N6532 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49015 | 2N6532 | 8 A NPN Darlington transistor de potência. 100 V. 60 W. Ganho de 1000 a 5 A. | General Electric Solid State |
| 49016 | 2N6533 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49017 | 2N6533 | 8 A NPN Darlington transistor de potência. 120 V. 60 W. Ganho de 1000 a 3 A. | General Electric Solid State |
| 49018 | 2N6535 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49019 | 2N6535 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49020 | 2N6537 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49021 | 2N6542 | PODER TRANSISTORS(5A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49022 | 2N6542 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DA SÉRIE NPN DE SWCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49023 | 2N6542 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49024 | 2N6542 | 3A poder de comutação de transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 49025 | 2N6543 | PODER TRANSISTORS(5A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49026 | 2N6543 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DA SÉRIE NPN DE SWCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49027 | 2N6543 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49028 | 2N6544 | PODER TRANSISTORS(8A, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49029 | 2N6544 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49030 | 2N6544 | 5A poder de comutação de transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 49031 | 2N6545 | PODER TRANSISTORS(8A, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49032 | 2N6545 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49033 | 2N6545 | 5A poder de comutação de transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 49034 | 2N6546 | PODER TRANSISTORS(15A, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49035 | 2N6546 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DA SÉRIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49036 | 2N6546 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49037 | 2N6546 | MESA NPN DE MULTIEPITAXIAL | ST Microelectronics |
| 49038 | 2N6546 | 10A poder de comutação de transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 49039 | 2N6546 | MESA MULTIEPITAXIAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 49040 | 2N6547 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | ST Microelectronics |
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