| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 49001 | 2N6520 | 0.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 350V VCEO, 0.500A Ic, 20 - HFE | Continental Device India Limited |
| 49002 | 2N6520 | Ic = 500 мА, Vce = 10В транзистор | MCC |
| 49003 | 2N6520 | Транзисторы высокого напряжения. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = -350V. Напряжения коллектор-база: VCBO = -350V. Рассеиваемая Коллекцио | USHA India LTD |
| 49004 | 2N6520 | PNP кремниевой планарной средней мощности ТРАНЗИСТОРА | Diodes |
| 49005 | 2N6520BU | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 49006 | 2N6520RL1 | Транзисторы высокого напряжения | ON Semiconductor |
| 49007 | 2N6520RLRA | Высоковольтный Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 49008 | 2N6520RLRM | Транзисторы высокого напряжения | ON Semiconductor |
| 49009 | 2N6520TA | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 49010 | 2N6530 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49011 | 2N6530 | 8 NPN Дарлингтон мощный транзистор. 80 В. 60 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
| 49012 | 2N6531 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49013 | 2N6531 | 8 NPN Дарлингтон мощный транзистор. 100 В. 60 Вт Усиление 500 на 3 А. | General Electric Solid State |
| 49014 | 2N6532 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49015 | 2N6532 | 8 NPN Дарлингтон мощный транзистор. 100 В. 60 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
| 49016 | 2N6533 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49017 | 2N6533 | 8 NPN Дарлингтон мощный транзистор. 120 В. 60 Вт Усиление 1000 в 3 А. | General Electric Solid State |
| 49018 | 2N6535 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49019 | 2N6535 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49020 | 2N6537 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49021 | 2N6542 | СИЛА TRANSISTORS(5ЈA, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49022 | 2N6542 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ СЕРИИ NPN SWCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49023 | 2N6542 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49024 | 2N6542 | 3А мощность переключения NPN транзистор. | General Electric Solid State |
| 49025 | 2N6543 | СИЛА TRANSISTORS(5ЈA, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49026 | 2N6543 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ СЕРИИ NPN SWCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49027 | 2N6543 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49028 | 2N6544 | СИЛА TRANSISTORS(8ЈA, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49029 | 2N6544 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49030 | 2N6544 | 5A мощность переключения NPN транзистор. | General Electric Solid State |
| 49031 | 2N6545 | СИЛА TRANSISTORS(8ЈA, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49032 | 2N6545 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49033 | 2N6545 | 5A мощность переключения NPN транзистор. | General Electric Solid State |
| 49034 | 2N6546 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49035 | 2N6546 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ СЕРИИ NPN
SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49036 | 2N6546 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49037 | 2N6546 | МЕЗА NPN MULTIEPITAXIAL | ST Microelectronics |
| 49038 | 2N6546 | 10А мощность переключения NPN транзистор. | General Electric Solid State |
| 49039 | 2N6546 | MESA MULTIEPITAXIAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 49040 | 2N6547 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPN | ST Microelectronics |
| | | |
