| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 49121 | 2N6660 | Н-Kanal 60-V (d-S) определяет и quad
mOSFETs | Vishay |
| 49122 | 2N6661 | ТРАНЗИСТОР MOS РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL | SemeLAB |
| 49123 | 2N6661 | ТРАНЗИСТОРЫ FET ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ TMOS | Motorola |
| 49124 | 2N6661 | FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS
Н-Kanala | Supertex Inc |
| 49125 | 2N6661 | MOSFETS 80-V и 90-V Н-Kanala
(d-S) | Vishay |
| 49126 | 2N6666 | СИЛА TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49127 | 2N6666 | ПЛАСТИЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 49128 | 2N6666 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49129 | 2N6666 | 10 PNP Дарлингтона мощный транзистор. -40 В. 65 Вт Усиление 1000 в 3 А. | General Electric Solid State |
| 49130 | 2N6667 | СИЛА TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49131 | 2N6667 | ПЛАСТИЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 49132 | 2N6667 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49133 | 2N6667 | Приведите 8ЈA В действие 60V Darlington
PNP | ON Semiconductor |
| 49134 | 2N6667 | 10 PNP Дарлингтона мощный транзистор. -60 В. 65 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
| 49135 | 2N6667-D | Транзисторы Силы Кремния Darlington | ON Semiconductor |
| 49136 | 2N6668 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ PNP | ST Microelectronics |
| 49137 | 2N6668 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 49138 | 2N6668 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 49139 | 2N6668 | СИЛА TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49140 | 2N6668 | ПЛАСТИЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 49141 | 2N6668 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49142 | 2N6668 | Сила 8ЈA 80V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 49143 | 2N6668 | 10 PNP Дарлингтона мощный транзистор. -80 В. 65 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
| 49144 | 2N6671 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49145 | 2N6671 | 5 SwitchMax мощный транзистор. Высокое напряжение типа NPN. | General Electric Solid State |
| 49146 | 2N6672 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49147 | 2N6672 | 5 SwitchMax мощный транзистор. Высокое напряжение типа NPN. | General Electric Solid State |
| 49148 | 2N6673 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49149 | 2N6673 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49150 | 2N6673 | 5 SwitchMax мощный транзистор. Высокое напряжение типа NPN. | General Electric Solid State |
| 49151 | 2N6674 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49152 | 2N6674 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ СИЛЫ NPN | Microsemi |
| 49153 | 2N6675 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49154 | 2N6675 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ СИЛЫ NPN | Microsemi |
| 49155 | 2N6676 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 49156 | 2N6676 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49157 | 2N6676 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49158 | 2N6676 | 15 SwitchMax мощный транзистор. Высокое напряжение типа NPN. | General Electric Solid State |
| 49159 | 2N6676 | NPN кремния мощный транзистор. 15, 300 В, 175 В. | Motorola |
| 49160 | 2N6677 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| | | |
