| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 890161 | MMBT5088LT1 | Ruído Baixo Do Sinal Pequeno | ON Semiconductor |
| 890162 | MMBT5088LT1-D | Silicone Baixo Dos Transistor NPN Do Ruído | ON Semiconductor |
| 890163 | MMBT5089 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890164 | MMBT5089 | NPN transistor de silício de baixo ruído. | Motorola |
| 890165 | MMBT5089 | 30 V, 50 mA, NPN transistor epitaxial de silício | Samsung Electronic |
| 890166 | MMBT5089L | Ruído Baixo Do Sinal Pequeno | ON Semiconductor |
| 890167 | MMBT5089LT1 | Silicone Baixo De Transistors(NPN Do Ruído) | Leshan Radio Company |
| 890168 | MMBT5089LT1 | Transistor Baixos Do Ruído | Motorola |
| 890169 | MMBT5089LT1 | Ruído Baixo Do Sinal Pequeno | ON Semiconductor |
| 890170 | MMBT5179 | Transistor de NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890171 | MMBT5179_NL | Transistor de NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890172 | MMBT5210 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890173 | MMBT5401 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | National Semiconductor |
| 890174 | MMBT5401 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890175 | MMBT5401 | Transistor Bipolares | Diodes |
| 890176 | MMBT5401 | SILICONE DE ALTA TENSÃO DO TRANSISTOR PNP | Zowie Technology Corporation |
| 890177 | MMBT5401 | TRANSISTOR PEQUENO DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO SINAL DE PNP | TRSYS |
| 890178 | MMBT5401 | PNP transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 890179 | MMBT5401 | 180 V, montar PNP superfície pequeno sinal transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 890180 | MMBT5401-7 | TRANSISTOR PEQUENO DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO SINAL DE PNP | Diodes |
| 890181 | MMBT5401-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 890182 | MMBT5401-G | Transistor General Purpose, V CBO = -160V, V CEO = -150V, V EBO = -5V, I C = -0.6A | Comchip Technology |
| 890183 | MMBT5401L | Alta tensão Pequena Do Sinal | ON Semiconductor |
| 890184 | MMBT5401LT1 | Silicone De alta tensão De Transistor(PNP) | Leshan Radio Company |
| 890185 | MMBT5401LT1 | Transistor De alta tensão | Motorola |
| 890186 | MMBT5401LT1 | Alta tensão Pequena Do Sinal | ON Semiconductor |
| 890187 | MMBT5401LT1-D | Silicone De alta tensão Do Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 890188 | MMBT5401LT1G | Silicone De alta tensão De Transistor(PNP) | ON Semiconductor |
| 890189 | MMBT5401LT3 | Alta tensão Pequena Do Sinal | ON Semiconductor |
| 890190 | MMBT5401LT3G | Silicone De alta tensão De Transistor(PNP) | ON Semiconductor |
| 890191 | MMBT5401W | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
| 890192 | MMBT5401W | Transistor de alta tensão | ON Semiconductor |
| 890193 | MMBT5401_D87Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890194 | MMBT5401_NL | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890195 | MMBT5550 | SILICONE DE ALTA TENSÃO DO TRANSISTOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 890196 | MMBT5550 | NPN Silicon Transistor epitaxial | Fairchild Semiconductor |
| 890197 | MMBT5550 | NPN transistor de silício de alta tensão. | Motorola |
| 890198 | MMBT5550 | 160 V, 600 MA, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
| 890199 | MMBT5550L | Alta tensão Pequena Do Sinal | ON Semiconductor |
| 890200 | MMBT5550LT1 | Silicone De alta tensão De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
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