| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 890161 | MMBT5088LT1 | Bas Bruit De Petit Signal | ON Semiconductor |
| 890162 | MMBT5088LT1-D | Bas Silicium Des Transistors NPN De Bruit | ON Semiconductor |
| 890163 | MMBT5089 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890164 | MMBT5089 | NPN silicium de transistor à faible bruit. | Motorola |
| 890165 | MMBT5089 | 30 V, 50 Ma, transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 890166 | MMBT5089L | Bas Bruit De Petit Signal | ON Semiconductor |
| 890167 | MMBT5089LT1 | Bas Silicium De Transistors(NPN De Bruit) | Leshan Radio Company |
| 890168 | MMBT5089LT1 | Bas Transistors De Bruit | Motorola |
| 890169 | MMBT5089LT1 | Bas Bruit De Petit Signal | ON Semiconductor |
| 890170 | MMBT5179 | Transistor de NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890171 | MMBT5179_NL | Transistor de NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890172 | MMBT5210 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890173 | MMBT5401 | Amplificateur D'Usage universel de PNP | National Semiconductor |
| 890174 | MMBT5401 | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890175 | MMBT5401 | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 890176 | MMBT5401 | SILICIUM À HAUTE TENSION DU TRANSISTOR PNP | Zowie Technology Corporation |
| 890177 | MMBT5401 | PETIT TRANSISTOR DE BÂTI DE SURFACE DE SIGNAL DE PNP | TRSYS |
| 890178 | MMBT5401 | PNP silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 890179 | MMBT5401 | 180 V, PNP petite surface de signal transistor montage | TRANSYS Electronics Limited |
| 890180 | MMBT5401-7 | PETIT TRANSISTOR DE BÂTI DE SURFACE DE SIGNAL DE PNP | Diodes |
| 890181 | MMBT5401-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 890182 | MMBT5401-G | Transistor de But, V CBO = -160V, V PDG = -150V, V EBO = 5V, je C = -0.6A | Comchip Technology |
| 890183 | MMBT5401L | Petite Haute tension De Signal | ON Semiconductor |
| 890184 | MMBT5401LT1 | Silicium À haute tension De Transistor(PNP) | Leshan Radio Company |
| 890185 | MMBT5401LT1 | Transistor À haute tension | Motorola |
| 890186 | MMBT5401LT1 | Petite Haute tension De Signal | ON Semiconductor |
| 890187 | MMBT5401LT1-D | Silicium À haute tension Du Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 890188 | MMBT5401LT1G | Silicium À haute tension De Transistor(PNP) | ON Semiconductor |
| 890189 | MMBT5401LT3 | Petite Haute tension De Signal | ON Semiconductor |
| 890190 | MMBT5401LT3G | Silicium À haute tension De Transistor(PNP) | ON Semiconductor |
| 890191 | MMBT5401W | Mini taille des éléments discrets de semi-conducteur | SINYORK |
| 890192 | MMBT5401W | Transistor à haute tension | ON Semiconductor |
| 890193 | MMBT5401_D87Z | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890194 | MMBT5401_NL | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890195 | MMBT5550 | SILICIUM À HAUTE TENSION DU TRANSISTOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 890196 | MMBT5550 | NPN épitaxiales de silicium Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890197 | MMBT5550 | NPN silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 890198 | MMBT5550 | 160 V, 600 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 890199 | MMBT5550L | Petite Haute tension De Signal | ON Semiconductor |
| 890200 | MMBT5550LT1 | Silicium À haute tension De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
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