| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 890201 | MMBT5550LT1 | Transistors À haute tension | Motorola |
| 890202 | MMBT5550LT1 | Petite Haute tension De Signal | ON Semiconductor |
| 890203 | MMBT5550LT1-D | Silicium À haute tension Des Transistors NPN | ON Semiconductor |
| 890204 | MMBT5550LT1G | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
| 890205 | MMBT5551 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | National Semiconductor |
| 890206 | MMBT5551 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890207 | MMBT5551 | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 890208 | MMBT5551 | SILICIUM À HAUTE TENSION DU TRANSISTOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 890209 | MMBT5551 | PETIT TRANSISTOR DE BÂTI DE SURFACE DE SIGNAL DE NPN | TRSYS |
| 890210 | MMBT5551 | NPN silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 890211 | MMBT5551 | 180 V, NPN petite surface de signal transistor montage | TRANSYS Electronics Limited |
| 890212 | MMBT5551-7 | PETIT TRANSISTOR DE BÂTI DE SURFACE DE SIGNAL DE NPN | Diodes |
| 890213 | MMBT5551-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 890214 | MMBT5551L | Petit Signal NPN | ON Semiconductor |
| 890215 | MMBT5551LT1 | Silicium À haute tension De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
| 890216 | MMBT5551LT1 | Transistors À haute tension | Motorola |
| 890217 | MMBT5551LT1 | Petit Signal NPN | ON Semiconductor |
| 890218 | MMBT5551LT1G | Petit Signal NPN | ON Semiconductor |
| 890219 | MMBT5551LT3 | Petit Signal NPN | ON Semiconductor |
| 890220 | MMBT5551LT3G | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
| 890221 | MMBT5551M3 | NPN transistor haute tension | ON Semiconductor |
| 890222 | MMBT5551W | Mini taille des éléments discrets de semi-conducteur | SINYORK |
| 890223 | MMBT5551_NL | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890224 | MMBT5770 | NPN Transistor RF | Fairchild Semiconductor |
| 890225 | MMBT5771 | Transistor De Commutation de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890226 | MMBT5771_NL | Transistor De Commutation de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890227 | MMBT589 | Transistor de jonction bipolaire de PNP | ON Semiconductor |
| 890228 | MMBT589L | Petit Transistor De Signal | ON Semiconductor |
| 890229 | MMBT589LT1 | Petit Transistor De Signal | ON Semiconductor |
| 890230 | MMBT589LT1-D | Haut transistor extérieur courant de commutation de silicium du bâti PNP pour la gestion de charge dans des applications portatives | ON Semiconductor |
| 890231 | MMBT589LT3 | Petit Transistor De Signal | ON Semiconductor |
| 890232 | MMBT5962 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 890233 | MMBT6027 | Transistor programmable d'unijunction de silicium (met) | Planeta |
| 890234 | MMBT6028 | Transistor silicium programmable unijunction (puts). -Anode-cathode à la tension + -40V. | Planeta |
| 890235 | MMBT6427 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 890236 | MMBT6427 | Transistors De Darlington | Diodes |
| 890237 | MMBT6427 | Transistor NPN Darlington de silicium. | Motorola |
| 890238 | MMBT6427 | 40 V, 500 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 890239 | MMBT6427-7 | TRANSISTOR DU BÂTI DARLINGTON DE SURFACE DE NPN | Diodes |
| 890240 | MMBT6427-7-F | Transistors Darlington | Diodes |
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