Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
890201 | MMBT5550LT1 | Hochspannungstransistoren | Motorola |
890202 | MMBT5550LT1 | Kleine Signal-Hochspannung | ON Semiconductor |
890203 | MMBT5550LT1-D | HochspannungsSilikon Der TRANSISTOR-NPN | ON Semiconductor |
890204 | MMBT5550LT1G | Hochspannungstransistoren | ON Semiconductor |
890205 | MMBT5551 | NPN Zweck-Verstärker | National Semiconductor |
890206 | MMBT5551 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
890207 | MMBT5551 | Zweipolige Transistoren | Diodes |
890208 | MMBT5551 | HOCHSPANNUNGSSILIKON DES TRANSISTOR-NPN | Zowie Technology Corporation |
890209 | MMBT5551 | NPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTOR | TRSYS |
890210 | MMBT5551 | NPN Silizium Hochspannungstransistor. | Motorola |
890211 | MMBT5551 | 180 V, NPN Kleinsignaloberflächenmontage-Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
890212 | MMBT5551-7 | NPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTOR | Diodes |
890213 | MMBT5551-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
890214 | MMBT5551L | Kleines Signal NPN | ON Semiconductor |
890215 | MMBT5551LT1 | Hochspannungstransistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
890216 | MMBT5551LT1 | Hochspannungstransistoren | Motorola |
890217 | MMBT5551LT1 | Kleines Signal NPN | ON Semiconductor |
890218 | MMBT5551LT1G | Kleines Signal NPN | ON Semiconductor |
890219 | MMBT5551LT3 | Kleines Signal NPN | ON Semiconductor |
890220 | MMBT5551LT3G | Hochspannungstransistoren | ON Semiconductor |
890221 | MMBT5551M3 | NPN Hochspannungstransistor | ON Semiconductor |
890222 | MMBT5551W | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
890223 | MMBT5551_NL | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
890224 | MMBT5770 | NPN RF Transistor | Fairchild Semiconductor |
890225 | MMBT5771 | PNP Schaltung Transistor | Fairchild Semiconductor |
890226 | MMBT5771_NL | PNP Schaltung Transistor | Fairchild Semiconductor |
890227 | MMBT589 | PNP bipolarer Sperrschicht-Transistor | ON Semiconductor |
890228 | MMBT589L | Kleiner Signal-Transistor | ON Semiconductor |
890229 | MMBT589LT1 | Kleiner Signal-Transistor | ON Semiconductor |
890230 | MMBT589LT1-D | Hoher gegenwärtiger Oberflächeneinfassung PNP Silikon-SchaltungTransistor für Last Management in den beweglichen Anwendungen | ON Semiconductor |
890231 | MMBT589LT3 | Kleiner Signal-Transistor | ON Semiconductor |
890232 | MMBT5962 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
890233 | MMBT6027 | Silikon programmierbarer unijunction Transistor (setzt sich) | Planeta |
890234 | MMBT6028 | Silicon programmierbare Unijunktionstransistor (Put). Anoden-Kathoden-Spannung -40 V +. | Planeta |
890235 | MMBT6427 | NPN Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
890236 | MMBT6427 | Darlington Transistoren | Diodes |
890237 | MMBT6427 | NPN Silikon Darlington-Transistor. | Motorola |
890238 | MMBT6427 | 40 V, 500 mA, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Samsung Electronic |
890239 | MMBT6427-7 | NPN OBERFLÄCHE EINFASSUNG DARLINGTON TRANSISTOR | Diodes |
890240 | MMBT6427-7-F | Darlington-Transistoren | Diodes |
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