| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 890201 | MMBT5550LT1 | Высоковольтный Кремний Transistors(NPN) | Motorola |
| 890202 | MMBT5550LT1 | Малое Высокое напряжение NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 890203 | MMBT5550LT1-D | Высоковольтный Кремний Транзисторов NPN | ON Semiconductor |
| 890204 | MMBT5550LT1G | Высоковольтный Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 890205 | MMBT5551 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | National Semiconductor |
| 890206 | MMBT5551 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 890207 | MMBT5551 | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
| 890208 | MMBT5551 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА NPN | Zowie Technology Corporation |
| 890209 | MMBT5551 | ТРАНЗИСТОР ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ СИГНАЛА NPN
МАЛЫЙ | TRSYS |
| 890210 | MMBT5551 | NPN кремния высокого напряжения транзистора. | Motorola |
| 890211 | MMBT5551 | 180 V, NPN небольшая поверхность сигнал монтировать транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
| 890212 | MMBT5551-7 | ТРАНЗИСТОР ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ СИГНАЛА NPN
МАЛЫЙ | Diodes |
| 890213 | MMBT5551-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 890214 | MMBT5551L | Малый Сигнал NPN | ON Semiconductor |
| 890215 | MMBT5551LT1 | Высоковольтный Кремний Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
| 890216 | MMBT5551LT1 | Высоковольтный Кремний Transistors(NPN) | Motorola |
| 890217 | MMBT5551LT1 | Малый Сигнал NPN | ON Semiconductor |
| 890218 | MMBT5551LT1G | Малый Сигнал NPN | ON Semiconductor |
| 890219 | MMBT5551LT3 | Малый Сигнал NPN | ON Semiconductor |
| 890220 | MMBT5551LT3G | Высоковольтный Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 890221 | MMBT5551M3 | NPN ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ТРАНЗИСТОР | ON Semiconductor |
| 890222 | MMBT5551W | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
| 890223 | MMBT5551_NL | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 890224 | MMBT5770 | NPN РФ транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 890225 | MMBT5771 | Транзистор Переключения PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890226 | MMBT5771_NL | Транзистор Переключения PNP | Fairchild Semiconductor |
| 890227 | MMBT589 | Транзистор двухполярного соединения PNP | ON Semiconductor |
| 890228 | MMBT589L | Малый Транзистор Сигнала (PNP) | ON Semiconductor |
| 890229 | MMBT589LT1 | Малый Транзистор Сигнала (PNP) | ON Semiconductor |
| 890230 | MMBT589LT1-D | Высокий в настоящее время поверхностный транзистор
переключения кремния держателя PNP для управления нагрузки в
портативных применениях | ON Semiconductor |
| 890231 | MMBT589LT3 | Малый Транзистор Сигнала (PNP) | ON Semiconductor |
| 890232 | MMBT5962 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 890233 | MMBT6027 | Транзистор unijunction кремния programmable
(кладет) | Planeta |
| 890234 | MMBT6028 | Кремний программируемый однопереходный транзистор (ставит). Анод-на-катода напряжения + -40V. | Planeta |
| 890235 | MMBT6427 | Транзистор NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 890236 | MMBT6427 | Транзисторы Darlington - транзистор
Darlington кремния NPN для вообще применений af | Diodes |
| 890237 | MMBT6427 | NPN кремния транзистор Дарлингтона. | Motorola |
| 890238 | MMBT6427 | 40 V, 500 MA, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
| 890239 | MMBT6427-7 | ТРАНЗИСТОР ДЕРЖАТЕЛЯ DARLINGTON ПОВЕРХНОСТИ
NPN | Diodes |
| 890240 | MMBT6427-7-F | Транзисторы Дарлингтона | Diodes |
| | | |
