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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
890201MMBT5550LT1Transistores De alto voltajeMotorola
890202MMBT5550LT1Alto voltaje Pequeño De la SeñalON Semiconductor
890203MMBT5550LT1-DSilicio De alto voltaje De los Transistores NPNON Semiconductor
890204MMBT5550LT1GTransistores De alto voltajeON Semiconductor
890205MMBT5551Amplificador De los Fines generales de NPNNational Semiconductor
890206MMBT5551Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
890207MMBT5551Transistores BipolaresDiodes
890208MMBT5551SILICIO DE ALTO VOLTAJE DEL TRANSISTOR NPNZowie Technology Corporation
890209MMBT5551TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE NPNTRSYS
890210MMBT5551NPN transistor de silicio de alta tensión.Motorola
890211MMBT5551180 V, pequeña superficie de señal NPN transistor de montajeTRANSYS Electronics Limited
890212MMBT5551-7TRANSISTOR PEQUEÑO DEL MONTAJE DE LA SUPERFICIE DE LA SEÑAL DE NPNDiodes
890213MMBT5551-7-FTransistores bipolaresDiodes
890214MMBT5551LSeñal Pequeña NPNON Semiconductor
890215MMBT5551LT1Silicio De alto voltaje De Transistors(NPN)Leshan Radio Company
890216MMBT5551LT1Transistores De alto voltajeMotorola
890217MMBT5551LT1Señal Pequeña NPNON Semiconductor
890218MMBT5551LT1GSeñal Pequeña NPNON Semiconductor
890219MMBT5551LT3Señal Pequeña NPNON Semiconductor



890220MMBT5551LT3GTransistores De alto voltajeON Semiconductor
890221MMBT5551M3NPN TRANSISTOR DE ALTO VOLTAJEON Semiconductor
890222MMBT5551WMini tamaño de los elementos discretos del semiconductorSINYORK
890223MMBT5551_NLAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
890224MMBT5770NPN Transistor del RFFairchild Semiconductor
890225MMBT5771Transistor De la Conmutación de PNPFairchild Semiconductor
890226MMBT5771_NLTransistor De la Conmutación de PNPFairchild Semiconductor
890227MMBT589Transistor de ensambladura bipolar de PNPON Semiconductor
890228MMBT589LTransistor Pequeño De la SeñalON Semiconductor
890229MMBT589LT1Transistor Pequeño De la SeñalON Semiconductor
890230MMBT589LT1-DTransistor superficial actual alto de la conmutación del silicio del montaje PNP para la gerencia de la carga en usos portablesON Semiconductor
890231MMBT589LT3Transistor Pequeño De la SeñalON Semiconductor
890232MMBT5962Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
890233MMBT6027Transistor programable del unijunction del silicio (pone)Planeta
890234MMBT6028El silicio transistor monounión programable (PUT). -Ánodo a cátodo tensión + -40V.Planeta
890235MMBT6427Transistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
890236MMBT6427Transistores De DarlingtonDiodes
890237MMBT6427Transistor NPN Darlington del silicio.Motorola
890238MMBT642740 V, 500 mA, el transistor NPN de silicio epitaxialSamsung Electronic
890239MMBT6427-7TRANSISTOR DEL MONTAJE DARLINGTON DE LA SUPERFICIE DE NPNDiodes
890240MMBT6427-7-FTransistores de DarlingtonDiodes
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