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Nr.	Nome da parte	Descrição	Fabricante
101	20KW132A	132.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
102	20KW144	144.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
103	20KW144A	144.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
104	20KW160	160.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
105	20KW160A	160.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
106	20KW172	172.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
107	20KW172A	172.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
108	20KW180	180.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
109	20KW180A	180.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
110	20KW192	192.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
111	20KW192A	192.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
112	20KW204	204.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
113	20KW204A	204.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
114	20KW216	216.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
115	20KW216A	216.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
116	20KW232	232.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
117	20KW232A	232.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
118	20KW240	240.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
119	20KW240A	240.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
120	20KW256	256.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
121	20KW256A	256.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
122	20KW280	280.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
123	20KW280A	280.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
124	20KW300	300.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
125	20KW300A	300.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro junção passivado supressor de tensão transiente	MDE Semiconductor
126	30KW102	102.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
127	30KW102A	102.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor

128	30KW108	108.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
129	30KW108A	108.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
130	30KW120	120.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
131	30KW120A	120.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
132	30KW132	132.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
133	30KW132A	132.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
134	30KW144	144.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
135	30KW144A	144.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
136	30KW156	156.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
137	30KW156A	156.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
138	30KW168	168.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
139	30KW168A	168.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
140	30KW180	180.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
141	30KW180A	180.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
142	30KW198	198.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
143	30KW198A	198.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
144	30KW216	216.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
145	30KW216A	216.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
146	30KW240	240.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
147	30KW240A	240.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
148	30KW258	258.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
149	30KW258A	258.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor
150	30KW270	270.00V; 5mA; poder do pulso 15000W pico; vidro passivado junção supressor de transientes de tensão. Para aplicações bipolares	MDE Semiconductor

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