| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 201 | 2N3439CSM4 | ALTA TENSÃO, PODER MÉDIO, TRANSISTOR De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 202 | 2N3439CSM4R | ALTA TENSÃO, PODER MÉDIO, TRANSISTOR De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 203 | 2N3440 | TRANSISTOR DE ALTA TENSÃO DE NPN | SemeLAB |
| 204 | 2N3440CSM4R | ALTA TENSÃO, PODER MÉDIO, TRANSISTOR De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 205 | 2N3441 | TRANSISTOR MÉDIO DO SILICONE NPN DO PODER | SemeLAB |
| 206 | 2N3445 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 207 | 2N3447 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 208 | 2N3501CSM4 | ALTA TENSÃO, PODER MÉDIO, TRANSISTOR De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 209 | 2N3502 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
| 210 | 2N3503 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
| 211 | 2N3504 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
| 212 | 2N3505 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
| 213 | 2N3535 | Dispositivo bipolar de NPNP em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
| 214 | 2N3535 | Dispositivo bipolar de NPNP em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
| 215 | 2N3558 | Dispositivo bipolar de NPNP em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 216 | 2N3637 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
| 217 | 2N3637CSM | TRANSISTOR Do SILICONE De PNP Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 218 | 2N3665 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 219 | 2N3700DCSM | A ALTA TENSÃO, PODER MÉDIO, NPN DUAL TRANSISTOR Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 220 | 2N3716 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 221 | 2N3734 | Dispositivo bipolar de NPN no pacote aHermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 222 | 2N3738 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER NPN | SemeLAB |
| 223 | 2N3739 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER NPN | SemeLAB |
| 224 | 2N3767 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
| 225 | 2N3792 | PODER BAIXO EPITAXIAL TANSISTORS DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
| 226 | 2N3799 | PNP, TRANSISTOR BAIXO DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO | SemeLAB |
| 227 | 2N3799X | PNP, TRANSISTOR BAIXO DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO | SemeLAB |
| 228 | 2N3810DCSM | TRANSISTOR ELEVADOS DUPLOS Do GANHO PNP Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 229 | 2N3904 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL NPN PARA APLICAÇÕES ELEVADAS DA CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 230 | 2N3904-T18 | Vce 40V, 0.2A IC, 300 MHz NPN transistor bipolar | SemeLAB |
| 231 | 2N3904CSM | TRANSISTOR Da FINALIDADE GERAL NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 232 | 2N3918 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 233 | 2N3931 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 234 | 2N4000 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 235 | 2N4001 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
| 236 | 2N4027 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO18 | SemeLAB |
| 237 | 2N4033 | INTERRUPTOR MÉDIO DE ALTA VELOCIDADE DA TENSÃO | SemeLAB |
| 238 | 2N4033CSM4 | TRANSISTOR MÉDIO DE ALTA VELOCIDADE Da TENSÃO De PNP Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO Da MONTAGEM | SemeLAB |
| 239 | 2N4104 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 240 | 2N4104 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 241 | 2N4113 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 242 | 2N4113 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 243 | 2N4114 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 244 | 2N4231 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
| 245 | 2N4232 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
| 246 | 2N4240 | ALTA TENSÃO MÉDIA DO PODER DO TRANSISTOR DE NPN | SemeLAB |
| 247 | 2N4391 | DEPLETION Da CANALETA Do SWITCHING N De JFET | SemeLAB |
| 248 | 2N4392 | DEPLETION Da CANALETA Do SWITCHING N De JFET | SemeLAB |
| 249 | 2N4392CSM | SINAL PEQUENO N.CHANNEL J.FET Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 250 | 2N4393CSM | SINAL PEQUENO N.CHANNEL J.FET Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
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