Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
201 | 2N3439CSM4 | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
202 | 2N3439CSM4R | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
203 | 2N3440 | TRANSISTORS À HAUTE TENSION DE NPN | SemeLAB |
204 | 2N3440CSM4R | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
205 | 2N3441 | TRANSISTOR MOYEN DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE | SemeLAB |
206 | 2N3445 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
207 | 2N3447 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
208 | 2N3501CSM4 | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
209 | 2N3502 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
210 | 2N3503 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
211 | 2N3504 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
212 | 2N3505 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
213 | 2N3535 | Dispositif bipolaire de NPNP dans un paquet hermétiquement scellé enmétal TO39. | SemeLAB |
214 | 2N3535 | Dispositif bipolaire de NPNP dans un paquet hermétiquement scellé enmétal TO39. | SemeLAB |
215 | 2N3558 | Dispositif bipolaire de NPNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
216 | 2N3637 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
217 | 2N3637CSM | TRANSISTOR De SILICIUM De PNP DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
218 | 2N3665 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
219 | 2N3700DCSM | La HAUTE TENSION, La PUISSANCE MOYENNE, NPN CONJUGUENT TRANSISTOR DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
220 | 2N3716 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
221 | 2N3734 | Dispositif bipolaire de NPN en paquet aHermetically scellé en métal TO39 | SemeLAB |
222 | 2N3738 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPN | SemeLAB |
223 | 2N3739 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPN | SemeLAB |
224 | 2N3767 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
225 | 2N3792 | PUISSANCE BASSE ÉPITAXIALE TANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
226 | 2N3799 | PNP, BAS TRANSISTOR D'CAmplificateur DE BRUIT | SemeLAB |
227 | 2N3799X | PNP, BAS TRANSISTOR D'CAmplificateur DE BRUIT | SemeLAB |
228 | 2N3810DCSM | HAUTS TRANSISTORS DUELS Du GAIN PNP DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
229 | 2N3904 | TRANSISTOR TOUT USAGE DE NPN POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
230 | 2N3904-T18 | VCE 40V, 0,2A IC, 300 MHz transistor bipolaire NPN | SemeLAB |
231 | 2N3904CSM | TRANSISTOR TOUT USAGE De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
232 | 2N3918 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
233 | 2N3931 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
234 | 2N4000 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
235 | 2N4001 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39. | SemeLAB |
236 | 2N4027 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO18 | SemeLAB |
237 | 2N4033 | COMMUTATEUR MOYEN À GRANDE VITESSE DE TENSION | SemeLAB |
238 | 2N4033CSM4 | TRANSISTOR MOYEN À GRANDE VITESSE De TENSION De PNP DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE De BÂTI | SemeLAB |
239 | 2N4104 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
240 | 2N4104 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
241 | 2N4113 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
242 | 2N4113 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
243 | 2N4114 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
244 | 2N4231 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
245 | 2N4232 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
246 | 2N4240 | HAUTE TENSION MOYENNE DE PUISSANCE DE TRANSISTOR DE NPN | SemeLAB |
247 | 2N4391 | ÉPUISEMENT De la Manche de la COMMUTATION N de JFET | SemeLAB |
248 | 2N4392 | ÉPUISEMENT De la Manche de la COMMUTATION N de JFET | SemeLAB |
249 | 2N4392CSM | PETIT SIGNAL N.channel J.fet DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
250 | 2N4393CSM | PETIT SIGNAL N.channel J.fet DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
| | | |