| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1 | T14L256A-8J | 8ns; -0,5 A 4.6V; 1.0W; 32 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 2 | T14L256A-8P | 8ns; -0,5 A 4.6V; 1.0W; 32 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 3 | T14M1024-10H | 10 ns; -0,5 A 7.0V; 1.0W; 50 mA; 128 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 4 | T14M1024-10J | 10 ns; -0,5 A 7.0V; 1.0W; 50 mA; 128 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 5 | T14M1024-10P | 10 ns; -0,5 A 7.0V; 1.0W; 50 mA; 128 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 6 | T14M256A-8J | 8ns; -0,5 A 7.0V; 1.0W; 50 mA; 32 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 7 | T14M256A-8P | 8ns; -0,5 A 7.0V; 1.0W; 50 mA; 32 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 8 | T15L256A-35J | 35ns; -0,5 A 4.6V; 0.5W; 32 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 9 | T15L256A-70D | 70ns; -0,5 A 4.6V; 0.5W; 32 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 10 | T15L256A-70P | 70ns; -0,5 A 4.6V; 0.5W; 32 x 8 alta velocidade RAM estática CMOS | TM Technology |
| 11 | T15M1024A-100DI | -0,5 A 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 12 | T15M1024A-100HI | -0,5 A 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 13 | T15M1024A-100N | -0,5 A 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 14 | T15M1024A-100NI | -0,5 A 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 15 | T15M1024A-100P | -0,5 A 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 16 | T15M1024A-100PI | -0,5 A 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 17 | T15M1024A-55D | 70ns; -0,5 A 7v; 0.7W; 128 x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 18 | T15M1024A-70H | -0,5 A 7V; 0.7W; 128 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 19 | T15M256A-35J | -0,5 A 6V; 0.5W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 20 | T15M256A-70D | -0,5 A 6V; 0.5W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 21 | T15M256A-70P | -0,5 A 6V; 0.5W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 22 | T15M256B-70D | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 23 | T15M256B-70J | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 24 | T15M256B-70JI | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 25 | T15M256B-70N | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 26 | T15M256B-70NI | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 27 | T15M256B-85DI | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 28 | T15M256B-85P | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 29 | T15M256B-85PI | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 30 | T15M256B-85R | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 31 | T15M256B-85RI | -0,5 A 7V; 0.7W; 32 x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 32 | T15M64A-100D | 100ns; -0,5 A 7v; 0.7W; 8K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 33 | T15M64A-100J | 100ns; -0,5 A 7v; 0.7W; 8K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 34 | T15M64A-100N | 100ns; -0,5 A 7v; 0.7W; 8K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 35 | T15M64A-100P | 100ns; -0,5 A 7v; 0.7W; 8K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 36 | T15N1024A-100C | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 37 | T15N1024A-100CI | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 38 | T15N1024A-100HI | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 39 | T15N1024A-100P | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 40 | T15N1024A-100PI | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 41 | T15N1024A-55D | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 42 | T15N1024A-55DI | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 43 | T15N1024A-70H | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 44 | T15N1024A-70HI | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 128K x 8 Low Power CMOS RAM estática | TM Technology |
| 45 | T15V256A-70D | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 32K x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 46 | T15V256A-85DI | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 32K x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 47 | T15V256A-85P | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 32K x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 48 | T15V256A-85PI | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 32K x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 49 | T15V256A-85R | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 32K x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 50 | T15V256A-85RI | -0,5 A 4.6V; 0.7W; 32K x 8 CMOS de baixa potência RAM estática | TM Technology |
| 51 | T221160A-30J | 30ns; 4.5 a 5.5V; 1.0W; 64K x 16 RAM dinâmica: Rápido moda Página | TM Technology |
| 52 | T221160A-30S | 30ns; 4.5 a 5.5V; 1.0W; 64K x 16 RAM dinâmica: Rápido moda Página | TM Technology |
| 53 | T221160A-35J | 35ns; 4.5 a 5.5V; 1.0W; 64K x 16 RAM dinâmica: Rápido moda Página | TM Technology |
| 54 | T221160A-35S | 35ns; 4.5 a 5.5V; 1.0W; 64K x 16 RAM dinâmica: Rápido moda Página | TM Technology |
| 55 | T224160B | 4.5 a 5.5V; 1.2W; 256K x 16 Dynamic RAM: Rápido moda Página | TM Technology |
| 56 | T224162-22J | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 22ns | TM Technology |
| 57 | T224162-22S | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 22ns | TM Technology |
| 58 | T224162-25J | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 25ns | TM Technology |
| 59 | T224162-25S | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 25ns | TM Technology |
| 60 | T224162-28J | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 28ns | TM Technology |
| 61 | T224162-28S | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 28ns | TM Technology |
| 62 | T224162-35J | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 35ns | TM Technology |
| 63 | T224162-35S | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 35ns | TM Technology |
| 64 | T224162-45J | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 45ns | TM Technology |
| 65 | T224162-45S | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 45ns | TM Technology |
| 66 | T224162-50J | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 50ns | TM Technology |
| 67 | T224162-50S | 256K x 16 EDO Página forma dramática, 50ns | TM Technology |
| 68 | T224162B | 4.5 a 5.5V; 1.0W; 256K x 16 RAM dinâmica: moda EDO Página | TM Technology |
| 69 | T2316160A | 4.5 a 5.5V; 1.2W; 1024K x 16 Dynamic RAM: Rápido moda Página | TM Technology |
| 70 | T2316162A | 4.5 a 5.5V; 1.2W; 1024K x 16 Dynamic RAM: moda EDO Página | TM Technology |
| 71 | T2316405A | 0,5 a 4.6V; 1.0W; 4M x 4 Dynamic RAM: moda EDO Página | TM Technology |
| 72 | T2316407A | 0,5 a 4.6V; 1.0W; 4M x 4 Dynamic RAM: moda EDO Página | TM Technology |
| 73 | T35L3232B-3.8Q | 0,5 a 4.6V; 1.0W; 32K x 32 SRAM: pipeline e vazão através modo burst | TM Technology |
| 74 | T35L3232B-4T | 0,5 a 4.6V; 1.0W; 32K x 32 SRAM: pipeline e vazão através modo burst | TM Technology |
| 75 | T35L6432A-5Q | 0,5 a 4.6V; 1.6W; 64K x 32 SRAM: abastecimento de 3.3V, entradas e saídas totalmente registrados, contra estourar | TM Technology |
| 76 | T35L6432A-5T | 0,5 a 4.6V; 1.6W; 64K x 32 SRAM: abastecimento de 3.3V, entradas e saídas totalmente registrados, contra estourar | TM Technology |
| 77 | T35L6432B-10Q | 0,5 a 4.6V; 1.6W; 64K x 32 SRAM: abastecimento de 3.3V, entradas e saídas totalmente registrados, contra estourar | TM Technology |
| 78 | T35L6432B-12T | 0,5 a 4.6V; 1.6W; 64K x 32 SRAM: abastecimento de 3.3V, entradas e saídas totalmente registrados, contra estourar | TM Technology |
| 79 | T35L6464A-5L | 0,5 a 4.6V; 1.6W; 64K x 64 SRAM: abastecimento de 3.3V, entradas e saídas totalmente registrados, contra estourar | TM Technology |
| 80 | T35L6464A-5Q | 0,5 a 4.6V; 1.6W; 64K x 64 SRAM: abastecimento de 3.3V, entradas e saídas totalmente registrados, contra estourar | TM Technology |
| 81 | T4312816A-10S | 100MHz; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 8M x 16 SDRAM: 2M x 16bit x 4banks DRAMA síncrona | TM Technology |
| 82 | T4312816A-6S | 166MHz; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 8M x 16 SDRAM: 2M x 16bit x 4banks DRAMA síncrona | TM Technology |
| 83 | T4312816A-7.5S | 133MHz; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 8M x 16 SDRAM: 2M x 16bit x 4banks DRAMA síncrona | TM Technology |
| 84 | T4312816A-7S | 143MHz; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 8M x 16 SDRAM: 2M x 16bit x 4banks DRAMA síncrona | TM Technology |
| 85 | T4312816A-8S | 125MHz; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 8M x 16 SDRAM: 2M x 16bit x 4banks DRAMA síncrona | TM Technology |
| 86 | T431616A-7C | 7NS; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 1m x 16 SDRAM: 512K x 16bit x 2banks DRAMA síncrona | TM Technology |
| 87 | T431616A-7CI | 7NS; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 1m x 16 SDRAM: 512K x 16bit x 2banks DRAMA síncrona | TM Technology |
| 88 | T431616A-7S | 7NS; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 1m x 16 SDRAM: 512K x 16bit x 2banks DRAMA síncrona | TM Technology |
| 89 | T431616A-7SI | 7NS; 1,0 a 4.6V; 1.0W; 1m x 16 SDRAM: 512K x 16bit x 2banks DRAMA síncrona | TM Technology |
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