|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |

Часть название, описание или производитель содержать:

Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Информация Найдено :: 1013

Номер	Часть Имя	Описание	Производитель
201	2N6057	12А NPN монолитный Дарлингтона мощный транзистор.	General Electric Solid State
202	2N6058	12А NPN монолитный Дарлингтона мощный транзистор.	General Electric Solid State
203	2N6059	12А NPN монолитный Дарлингтона мощный транзистор.	General Electric Solid State
204	2N6076	PNP кремниевый транзистор. 25V, 100 мА.	General Electric Solid State
205	2N6077	Высоковольтная, мощных кремниевых NPN-транзистор.	General Electric Solid State
206	2N6078	Высоковольтная, мощных кремниевых NPN-транзистор.	General Electric Solid State
207	2N6079	Высоковольтная, мощных кремниевых NPN-транзистор.	General Electric Solid State
208	2N6106	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V.	General Electric Solid State
209	2N6107	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V.	General Electric Solid State
210	2N6108	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -60V.	General Electric Solid State
211	2N6109	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -60V.	General Electric Solid State
212	2N6110	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -40V.	General Electric Solid State
213	2N6111	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -40V.	General Electric Solid State
214	2N6121	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 45V.	General Electric Solid State
215	2N6122	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 60V.	General Electric Solid State
216	2N6123	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V.	General Electric Solid State
217	2N6124	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -45V.	General Electric Solid State
218	2N6125	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -60V.	General Electric Solid State
219	2N6126	Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V.	General Electric Solid State
220	2N6211	Высоковольтная, средней мощности кремния PNP транзистор.	General Electric Solid State
221	2N6212	Высоковольтная, средней мощности кремния PNP транзистор.	General Electric Solid State
222	2N6213	Высоковольтная, средней мощности кремния PNP транзистор.	General Electric Solid State
223	2N6214	Высоковольтная, средней мощности кремния PNP транзистор.	General Electric Solid State
224	2N6246	Эпитаксиальное-база, кремния PNP мощных транзисторов. -70V, 125W.	General Electric Solid State
225	2N6247	Эпитаксиальное-база, кремния PNP мощных транзисторов. -90V, 125W.	General Electric Solid State
226	2N6248	Эпитаксиальное-база, кремния PNP мощных транзисторов. -110V, 125W.	General Electric Solid State
227	2N6249	300V, 30A, 175W кремния NPN switcing транзистор.	General Electric Solid State

228	2N6250	375V, 30A, 175W кремния NPN switcing транзистор.	General Electric Solid State
229	2N6251	450V, 30A, 175W кремния NPN switcing транзистор.	General Electric Solid State
230	2N6253	Мощный кремниевый NPN-транзистор. 55V, 115W.	General Electric Solid State
231	2N6254	Мощный кремниевый NPN-транзистор. 100V, 150W.	General Electric Solid State
232	2N6259	Высокое напряжение, высокая транзистор питания. 170V, 250W.	General Electric Solid State
233	2N6262	Высокая кремния напряжение NPN-транзистор. 170V, 150W.	General Electric Solid State
234	2N6263	Средний Silicon Power NPN-транзистор. 140В, 20Вт.	General Electric Solid State
235	2N6264	Средний Silicon Power NPN-транзистор. 170V, 50W.	General Electric Solid State
236	2N6282	20 дополняют NPN и PNP монолитный Дарлингтона мощный транзистор. Высокое напряжение рейтинг 60 V (мин). 160 W.	General Electric Solid State
237	2N6283	20 дополняют NPN и PNP монолитный Дарлингтона мощный транзистор. Высокое напряжение рейтинг 80 V (мин). 160 W.	General Electric Solid State
238	2N6284	20 дополняют NPN и PNP монолитный Дарлингтона мощный транзистор. Оценка Высокое напряжение 100 В (мин). 160 W.	General Electric Solid State
239	2N6285	20 дополняют NPN и PNP монолитный Дарлингтона мощный транзистор. Высокое напряжение рейтинг 60 V (мин). 160 W.	General Electric Solid State
240	2N6286	20 дополняют NPN и PNP монолитный Дарлингтона мощный транзистор. Высокое напряжение рейтинг 80 V (мин). 160 W.	General Electric Solid State
241	2N6287	20 дополняют NPN и PNP монолитный Дарлингтона мощный транзистор. Оценка Высокое напряжение 100 В (мин). 160 W.	General Electric Solid State
242	2N6288	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 40V.	General Electric Solid State
243	2N6289	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 40V.	General Electric Solid State
244	2N6290	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 60V.	General Electric Solid State
245	2N6291	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 60V.	General Electric Solid State
246	2N6292	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V.	General Electric Solid State
247	2N6293	Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V.	General Electric Solid State
248	2N6342A	12-кремний симистор. 200 В.	General Electric Solid State
249	2N6343A	12-кремний симистор. 400 В.	General Electric Solid State
250	2N6344A	12-кремний симистор. 600 В.	General Electric Solid State

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/generalelectricsolidstate/1/