Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
201 | 2N6057 | 12A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. | General Electric Solid State |
202 | 2N6058 | 12A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. | General Electric Solid State |
203 | 2N6059 | 12A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique. | General Electric Solid State |
204 | 2N6076 | Transistor de silicium PNP. 25V, 100mA. | General Electric Solid State |
205 | 2N6077 | Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
206 | 2N6078 | Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
207 | 2N6079 | Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
208 | 2N6106 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V. | General Electric Solid State |
209 | 2N6107 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V. | General Electric Solid State |
210 | 2N6108 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V. | General Electric Solid State |
211 | 2N6109 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V. | General Electric Solid State |
212 | 2N6110 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -40V. | General Electric Solid State |
213 | 2N6111 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -40V. | General Electric Solid State |
214 | 2N6121 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 45V. | General Electric Solid State |
215 | 2N6122 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V. | General Electric Solid State |
216 | 2N6123 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V. | General Electric Solid State |
217 | 2N6124 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -45V. | General Electric Solid State |
218 | 2N6125 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V. | General Electric Solid State |
219 | 2N6126 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V. | General Electric Solid State |
220 | 2N6211 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
221 | 2N6212 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
222 | 2N6213 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
223 | 2N6214 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
224 | 2N6246 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -70V, 125W. | General Electric Solid State |
225 | 2N6247 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -90V, 125W. | General Electric Solid State |
226 | 2N6248 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -110V, 125W. | General Electric Solid State |
227 | 2N6249 | 300V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
228 | 2N6250 | 375V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
229 | 2N6251 | 450V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
230 | 2N6253 | Haute puissance silicium de transistor NPN. 55V, 115W. | General Electric Solid State |
231 | 2N6254 | Haute puissance silicium de transistor NPN. 100V, 150W. | General Electric Solid State |
232 | 2N6259 | Haute tension, le transistor de puissance haute. 170V, 250W. | General Electric Solid State |
233 | 2N6262 | Silicium à haute tension de transistor NPN. 170V, 150W. | General Electric Solid State |
234 | 2N6263 | Puissance moyenne de silicium transistor NPN. 140V, 20W. | General Electric Solid State |
235 | 2N6264 | Puissance moyenne de silicium transistor NPN. 170V, 50W. | General Electric Solid State |
236 | 2N6282 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 60 V (min) tension. 160 W. | General Electric Solid State |
237 | 2N6283 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 80 V (min) tension. 160 W. | General Electric Solid State |
238 | 2N6284 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Note à haute tension de 100 V (min). 160 W. | General Electric Solid State |
239 | 2N6285 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 60 V (min) tension. 160 W. | General Electric Solid State |
240 | 2N6286 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 80 V (min) tension. 160 W. | General Electric Solid State |
241 | 2N6287 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Note à haute tension de 100 V (min). 160 W. | General Electric Solid State |
242 | 2N6288 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 40V. | General Electric Solid State |
243 | 2N6289 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 40V. | General Electric Solid State |
244 | 2N6290 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V. | General Electric Solid State |
245 | 2N6291 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V. | General Electric Solid State |
246 | 2N6292 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V. | General Electric Solid State |
247 | 2N6293 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V. | General Electric Solid State |
248 | 2N6342A | Un triac 12 de silicium. 200 V. | General Electric Solid State |
249 | 2N6343A | Un triac 12 de silicium. 400 V. | General Electric Solid State |
250 | 2N6344A | Un triac 12 de silicium. 600 V. | General Electric Solid State |
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