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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
2012N605712A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique.General Electric Solid State
2022N605812A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique.General Electric Solid State
2032N605912A NPN du transistor de puissance Darlington monolithique.General Electric Solid State
2042N6076Transistor de silicium PNP. 25V, 100mA.General Electric Solid State
2052N6077Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN.General Electric Solid State
2062N6078Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN.General Electric Solid State
2072N6079Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN.General Electric Solid State
2082N6106Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V.General Electric Solid State
2092N6107Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V.General Electric Solid State
2102N6108Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V.General Electric Solid State
2112N6109Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V.General Electric Solid State
2122N6110Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -40V.General Electric Solid State
2132N6111Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -40V.General Electric Solid State
2142N6121Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 45V.General Electric Solid State
2152N6122Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V.General Electric Solid State
2162N6123Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V.General Electric Solid State
2172N6124Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -45V.General Electric Solid State
2182N6125Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V.General Electric Solid State
2192N6126Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V.General Electric Solid State
2202N6211Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
2212N6212Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
2222N6213Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
2232N6214Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium.General Electric Solid State
2242N6246Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -70V, 125W.General Electric Solid State
2252N6247Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -90V, 125W.General Electric Solid State
2262N6248Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -110V, 125W.General Electric Solid State
2272N6249300V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor.General Electric Solid State



2282N6250375V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor.General Electric Solid State
2292N6251450V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor.General Electric Solid State
2302N6253Haute puissance silicium de transistor NPN. 55V, 115W.General Electric Solid State
2312N6254Haute puissance silicium de transistor NPN. 100V, 150W.General Electric Solid State
2322N6259Haute tension, le transistor de puissance haute. 170V, 250W.General Electric Solid State
2332N6262Silicium à haute tension de transistor NPN. 170V, 150W.General Electric Solid State
2342N6263Puissance moyenne de silicium transistor NPN. 140V, 20W.General Electric Solid State
2352N6264Puissance moyenne de silicium transistor NPN. 170V, 50W.General Electric Solid State
2362N628220 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 60 V (min) tension. 160 W.General Electric Solid State
2372N628320 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 80 V (min) tension. 160 W.General Electric Solid State
2382N628420 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Note à haute tension de 100 V (min). 160 W.General Electric Solid State
2392N628520 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 60 V (min) tension. 160 W.General Electric Solid State
2402N628620 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 80 V (min) tension. 160 W.General Electric Solid State
2412N628720 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Note à haute tension de 100 V (min). 160 W.General Electric Solid State
2422N6288Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 40V.General Electric Solid State
2432N6289Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 40V.General Electric Solid State
2442N6290Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V.General Electric Solid State
2452N6291Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V.General Electric Solid State
2462N6292Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V.General Electric Solid State
2472N6293Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V.General Electric Solid State
2482N6342AUn triac 12 de silicium. 200 V.General Electric Solid State
2492N6343AUn triac 12 de silicium. 400 V.General Electric Solid State
2502N6344AUn triac 12 de silicium. 600 V.General Electric Solid State

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