|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Les fiches techniques ont trouvé :: 1013 English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
451BTA22CTRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
452BTA22DTRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
453BTA22DTRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
454BTA22ETRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
455BTA22ETRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
456BTA22MTRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
457BTA22MTRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
458BTA22NTRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
459BTA22NTRIACS DU SILICIUM 10-AGeneral Electric Solid State
460BTA23TRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
461BTA23TRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
462BTA23BTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
463BTA23BTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
464BTA23CTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
465BTA23CTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
466BTA23DTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
467BTA23DTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
468BTA23ETRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
469BTA23ETRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
470BTA23MTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
471BTA23MTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
472BTA23NTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
473BTA23NTRIACS DU SILICIUM 12-AGeneral Electric Solid State
474BU32310 Un transistor NPN de puissance Darlington monollithic. 350 V. 175 W. Gain de 150 à 6 A.General Electric Solid State
475BU323A10 Un transistor NPN de puissance Darlington monollithic. 400 V. 175 W. Gain de 150 à 6 A.General Electric Solid State
476BUX11AHAUT TRANSISTOR DE PUISSANCE À GRANDE VITESSE COURANT DU SILICIUM N-P-N DE PUISSANCE ÉLEVÉEGeneral Electric Solid State
477BUX11AHAUT TRANSISTOR DE PUISSANCE À GRANDE VITESSE COURANT DU SILICIUM N-P-N DE PUISSANCE ÉLEVÉEGeneral Electric Solid State



478BUX14TRANSISTOR DE COMMUTATION DU SILICIUM NPNGeneral Electric Solid State
479BUX14TRANSISTOR DE COMMUTATION DU SILICIUM NPNGeneral Electric Solid State
480BUX3715 TRANSISTOR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE DE L'AMPÈRE NPN DARLINGTONGeneral Electric Solid State
481BUX3715 TRANSISTOR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE DE L'AMPÈRE NPN DARLINGTONGeneral Electric Solid State
482BUX45TRANSISTORS À HAUTE TENSION DE COMMUTATION DE PUISSANCE DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE ÉLEVÉEGeneral Electric Solid State
483BUX45TRANSISTORS À HAUTE TENSION DE COMMUTATION DE PUISSANCE DU SILICIUM NPN DE PUISSANCE ÉLEVÉEGeneral Electric Solid State
484BYW51-100Double 8A, à haute vitesse, haute efficacité redresseur de silicium épitaxiale. Vrrm 100V.General Electric Solid State
485BYW51-150Double 8A, à haute vitesse, haute efficacité redresseur de silicium épitaxiale. Vrrm 150V.General Electric Solid State
486BYW51-200Double 8A, à haute vitesse, haute efficacité redresseur de silicium épitaxiale. Vrrm 200V.General Electric Solid State
487C106A4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 100V.General Electric Solid State
488C106B4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 200V.General Electric Solid State
489C106C4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 300V.General Electric Solid State
490C106D4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 400V.General Electric Solid State
491C106E4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 500V.General Electric Solid State
492C106F4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 50V.General Electric Solid State
493C106M4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 600V.General Electric Solid State
494C106N4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 800V.General Electric Solid State
495C106S4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 700V.General Electric Solid State
496C122A8A redresseur commandé au silicium. Vrrom 100V.General Electric Solid State
497C122B8A redresseur commandé au silicium. Vrrom 200V.General Electric Solid State
498C122C8A redresseur commandé au silicium. Vrrom 300V.General Electric Solid State
499C122D8A redresseur commandé au silicium. Vrrom 400V.General Electric Solid State
500C122E8A redresseur commandé au silicium. Vrrom 500V.General Electric Solid State

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/generalelectricsolidstate/1/