Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
151 | 2N5443 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
152 | 2N5444 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
153 | 2N5444 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
154 | 2N5445 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
155 | 2N5445 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
156 | 2N5446 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
157 | 2N5446 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
158 | 2N5490 | Transistor NPN silicium VERSAWATT. 60V 50W. | General Electric Solid State |
159 | 2N5491 | Transistor NPN silicium VERSAWATT. 60V 50W. | General Electric Solid State |
160 | 2N5492 | Transistor NPN silicium VERSAWATT. 75V, 50W. | General Electric Solid State |
161 | 2N5493 | Transistor NPN silicium VERSAWATT. 75V, 50W. | General Electric Solid State |
162 | 2N5494 | Transistor NPN silicium VERSAWATT. 60V 50W. | General Electric Solid State |
163 | 2N5495 | Transistor NPN silicium VERSAWATT. 60V 50W. | General Electric Solid State |
164 | 2N5496 | Transistor NPN silicium VERSAWATT. 90V, 50W. | General Electric Solid State |
165 | 2N5497 | Transistor NPN silicium VERSAWATT. 90V, 50W. | General Electric Solid State |
166 | 2N5629 | Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 100V, 200W. | General Electric Solid State |
167 | 2N5630 | Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 120V, 200W. | General Electric Solid State |
168 | 2N5631 | Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 140V, 200W. | General Electric Solid State |
169 | 2N5671 | Haute-courant, de forte puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse. | General Electric Solid State |
170 | 2N5672 | Haute-courant, de forte puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse. | General Electric Solid State |
171 | 2N5754 | 2,5 Triac de silicium. Tension (typ) 100 V. | General Electric Solid State |
172 | 2N5755 | 2,5 Triac de silicium. Tension (typ) 200 V. | General Electric Solid State |
173 | 2N5756 | 2,5 Triac de silicium. Tension (typ) 400 V. | General Electric Solid State |
174 | 2N5757 | 2,5 Triac de silicium. Tension (typ) 600 V. | General Electric Solid State |
175 | 2N5781 | Silicon PNP de transistor épitaxiale base. -80V, 10W. | General Electric Solid State |
176 | 2N5782 | Silicon PNP de transistor épitaxiale base. -65V, 10W. | General Electric Solid State |
177 | 2N5783 | Silicon PNP de transistor épitaxiale base. -45V, 10W. | General Electric Solid State |
178 | 2N5784 | Silicon NPN transistor épitaxiale base. 80V, 10W. | General Electric Solid State |
179 | 2N5785 | Silicon NPN transistor épitaxiale base. 65V 10W. | General Electric Solid State |
180 | 2N5786 | Silicon NPN transistor épitaxiale base. 45V, 10W. | General Electric Solid State |
181 | 2N5838 | Haute tension, haute puissance silicium transistor de puissance NPN. | General Electric Solid State |
182 | 2N5839 | Haute tension, haute puissance silicium transistor de puissance NPN. | General Electric Solid State |
183 | 2N5840 | Haute tension, haute puissance silicium transistor de puissance NPN. | General Electric Solid State |
184 | 2N5885 | Haut courant, haute puissance, le transistor de puissance à haute vitesse. 60V 200W. | General Electric Solid State |
185 | 2N5886 | Haut courant, haute puissance, le transistor de puissance à haute vitesse. 80V, 200W. | General Electric Solid State |
186 | 2N5954 | Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -90V, 40W. | General Electric Solid State |
187 | 2N5955 | Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -70V, 40W. | General Electric Solid State |
188 | 2N5956 | Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -50 V, 40W. | General Electric Solid State |
189 | 2N6027 | Transistor unijonction programmable. | General Electric Solid State |
190 | 2N6028 | Transistor unijonction programmable. | General Electric Solid State |
191 | 2N6032 | Haute-courant, haute puissance, haute vitesse silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
192 | 2N6033 | Haute-courant, haute puissance, haute vitesse silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
193 | 2N6043 | 8A NPN Darlington transistor de puissance. | General Electric Solid State |
194 | 2N6044 | 8A NPN Darlington transistor de puissance. | General Electric Solid State |
195 | 2N6045 | 8A NPN Darlington transistor de puissance. | General Electric Solid State |
196 | 2N6050 | 12A PNP de transistor de puissance Darlington monolithique. | General Electric Solid State |
197 | 2N6051 | 12A PNP de transistor de puissance Darlington monolithique. | General Electric Solid State |
198 | 2N6052 | 12A PNP de transistor de puissance Darlington monolithique. | General Electric Solid State |
199 | 2N6055 | 8 Un transistor NPN de puissance Darlington de silicium. | General Electric Solid State |
200 | 2N6056 | 8 Un transistor NPN de puissance Darlington de silicium. | General Electric Solid State |
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