Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
401 | BD242 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -55V, 40W. | General Electric Solid State |
402 | BD242A | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -70V, 40W. | General Electric Solid State |
403 | BD242B | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -90V, 40W. | General Electric Solid State |
404 | BD242C | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -115V, 40W. | General Electric Solid State |
405 | BD243 | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 55V, 65W. | General Electric Solid State |
406 | BD243A | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 70V, 65W. | General Electric Solid State |
407 | BD243B | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 90V, 65W. | General Electric Solid State |
408 | BD243C | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 115V, 65W. | General Electric Solid State |
409 | BD244 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -55V, 65W. | General Electric Solid State |
410 | BD244A | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -70V, 65W. | General Electric Solid State |
411 | BD244B | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -90V, 65W. | General Electric Solid State |
412 | BD244C | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -115V, 65W. | General Electric Solid State |
413 | BD277 | TRANSISTORS BAS ÉPITAXIAUX DU SILICIUM PNP VERSAWATT DE 7-A 70-W | General Electric Solid State |
414 | BD277 | TRANSISTORS BAS ÉPITAXIAUX DU SILICIUM PNP VERSAWATT DE 7-A 70-W | General Electric Solid State |
415 | BD533 | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. 45V, 50W. | General Electric Solid State |
416 | BD534 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -45V, 50W. | General Electric Solid State |
417 | BD535 | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. 60V 50W. | General Electric Solid State |
418 | BD536 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -60V, 50W. | General Electric Solid State |
419 | BD537 | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. 80V, 50W. | General Electric Solid State |
420 | BD538 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -80V, 50W. | General Electric Solid State |
421 | BD550 | TRANSISTOR DE SILICIUM POUR QUASI - LES AMPLIFICATEURS AUDIO DE SYMÉTRIE COMPLÉMENTAIRE | General Electric Solid State |
422 | BD550 | TRANSISTOR DE SILICIUM POUR QUASI - LES AMPLIFICATEURS AUDIO DE SYMÉTRIE COMPLÉMENTAIRE | General Electric Solid State |
423 | BD550B | TRANSISTOR DE SILICIUM POUR QUASI - LES AMPLIFICATEURS AUDIO DE SYMÉTRIE COMPLÉMENTAIRE | General Electric Solid State |
424 | BD550B | TRANSISTOR DE SILICIUM POUR QUASI - LES AMPLIFICATEURS AUDIO DE SYMÉTRIE COMPLÉMENTAIRE | General Electric Solid State |
425 | BD643 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 45 V. 70 W. Gain de 750 à 3 A. | General Electric Solid State |
426 | BD645 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 60 V. 70 W. Gain de 750 à 3 A. | General Electric Solid State |
427 | BD647 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 80 V. 70 W. Gain de 750 à 3 A. | General Electric Solid State |
428 | BD649 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 100 V. 70 W. Gain de 750 à 3 A. | General Electric Solid State |
429 | BD795 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 45V, 65W. | General Electric Solid State |
430 | BD796 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -45V, 65W. | General Electric Solid State |
431 | BD797 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V 65W. | General Electric Solid State |
432 | BD798 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V, 65W. | General Electric Solid State |
433 | BD799 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V, 65W. | General Electric Solid State |
434 | BD800 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V, 65W. | General Electric Solid State |
435 | BD801 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 100V, 65W. | General Electric Solid State |
436 | BD802 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -100V, 65W. | General Electric Solid State |
437 | BD895 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 45 V. 70 W. | General Electric Solid State |
438 | BD895A | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 45 V. 70 W. | General Electric Solid State |
439 | BD897 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 60 V. 70 W. | General Electric Solid State |
440 | BD897A | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 60 V. 70 W. | General Electric Solid State |
441 | BD899 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 80 V. 70 W. | General Electric Solid State |
442 | BD899A | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 80 V. 70 W. | General Electric Solid State |
443 | BD901 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 100 V. 70 W. | General Electric Solid State |
444 | BDY29 | HAUT TRANSISTOR COURANT DE PUISSANCE ÉLEVÉE | General Electric Solid State |
445 | BDY29 | HAUT TRANSISTOR COURANT DE PUISSANCE ÉLEVÉE | General Electric Solid State |
446 | BTA22 | TRIACS DU SILICIUM 10-A | General Electric Solid State |
447 | BTA22 | TRIACS DU SILICIUM 10-A | General Electric Solid State |
448 | BTA22B | TRIACS DU SILICIUM 10-A | General Electric Solid State |
449 | BTA22B | TRIACS DU SILICIUM 10-A | General Electric Solid State |
450 | BTA22C | TRIACS DU SILICIUM 10-A | General Electric Solid State |
| | | |