|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:

Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Les fiches techniques ont trouvé :: 1013

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
51	2N3669	12.5A redresseur commandé au silicium. Vrm (non-rep) 330V.	General Electric Solid State
52	2N3670	12.5A redresseur commandé au silicium. Vrm (non-rep) 660V.	General Electric Solid State
53	2N3773	Haute tension, le transistor de puissance haute. 160V 150W.	General Electric Solid State
54	2N3791	Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -60V, 150W.	General Electric Solid State
55	2N3792	Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -80V, 150W.	General Electric Solid State
56	2N3858	TRANSISTORS DE SILICIUM	General Electric Solid State
57	2N3858	TRANSISTORS DE SILICIUM	General Electric Solid State
58	2N3858-60	TRANSISTORS DE SILICIUM	General Electric Solid State
59	2N3858-60	TRANSISTORS DE SILICIUM	General Electric Solid State
60	2N3858A	TRANSISTORS DE SILICIUM	General Electric Solid State
61	2N3858A	TRANSISTORS DE SILICIUM	General Electric Solid State
62	2N3859	Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 30V, 100mA.	General Electric Solid State
63	2N3859A	Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 60V, 100mA.	General Electric Solid State
64	2N3860	Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 30V, 100mA.	General Electric Solid State
65	2N3870	35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 150V.	General Electric Solid State
66	2N3871	35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 330V.	General Electric Solid State
67	2N3872	35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 660V.	General Electric Solid State
68	2N3873	35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 700V.	General Electric Solid State
69	2N3878	TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR	General Electric Solid State
70	2N3878	TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR	General Electric Solid State
71	2N3879	Haute vitesse, le transistor NPN plane collecteur de silicium épitaxiale.	General Electric Solid State
72	2N3896	35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 150V.	General Electric Solid State
73	2N3897	35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 330V.	General Electric Solid State
74	2N3898	35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 660V.	General Electric Solid State
75	2N3899	35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 700V.	General Electric Solid State
76	2N3903	Planar épitaxiale transistor NPN silicium. 40V, 200mA.	General Electric Solid State
77	2N3904	Planar épitaxiale transistor NPN silicium. 40V, 200mA.	General Electric Solid State

78	2N3905	Planaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. -40V, 200mA.	General Electric Solid State
79	2N3906	Planaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. -40V, 200mA.	General Electric Solid State
80	2N4036	Puissance moyenne silicium de transistor planaire NPN.	General Electric Solid State
81	2N4037	Puissance moyenne silicium de transistor planaire NPN.	General Electric Solid State
82	2N4063	Du silicium de haute tension à transistor NPN plane.	General Electric Solid State
83	2N4064	Du silicium de haute tension à transistor NPN plane.	General Electric Solid State
84	2N4101	REDRESSEURS COMMANDÉS DU SILICIUM 5-A	General Electric Solid State
85	2N4101	REDRESSEURS COMMANDÉS DU SILICIUM 5-A	General Electric Solid State
86	2N4103	12.5A redresseur commandé au silicium. Vrm (non-rep) 700V.	General Electric Solid State
87	2N4123	Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 30V, 200mA.	General Electric Solid State
88	2N4124	Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 25V, 200mA.	General Electric Solid State
89	2N4125	Planar épitaxiale passive transistor de silicium PNP. -30V, 200mA.	General Electric Solid State
90	2N4126	Planar épitaxiale passive transistor de silicium PNP. -25V, 200mA.	General Electric Solid State
91	2N4240	Du silicium de haute tension de transistor NPN.	General Electric Solid State
92	2N4314	Puissance moyenne silicium de transistor planaire NPN.	General Electric Solid State
93	2N4347	Silicium à haute tension de transistor NPN. 140V, 100W.	General Electric Solid State
94	2N4348	HAUTE TENSION, HAUTS TRANSISTORS DE PUISSANCE COURANTS	General Electric Solid State
95	2N4348	HAUTE TENSION, HAUTS TRANSISTORS DE PUISSANCE COURANTS	General Electric Solid State
96	2N4400	Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 40V, 600mA.	General Electric Solid State
97	2N4401	Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 40V, 600mA.	General Electric Solid State
98	2N4402	Planar épitaxiale passive transistor de silicium PNP. -40V, -600mA.	General Electric Solid State
99	2N4403	Planar épitaxiale passive transistor de silicium PNP. -40V, -600mA.	General Electric Solid State
100	2N4424	Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 40V, 500mA.	General Electric Solid State

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/generalelectricsolidstate/1/