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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
2012N605712A NPN darlington transistor de potencia monolítico.General Electric Solid State
2022N605812A NPN darlington transistor de potencia monolítico.General Electric Solid State
2032N605912A NPN darlington transistor de potencia monolítico.General Electric Solid State
2042N6076PNP transistor de silicio. 25V, 100mA.General Electric Solid State
2052N6077De alta tensión, de alta potencia de silicio NPN del transistor.General Electric Solid State
2062N6078De alta tensión, de alta potencia de silicio NPN del transistor.General Electric Solid State
2072N6079De alta tensión, de alta potencia de silicio NPN del transistor.General Electric Solid State
2082N6106Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -80V.General Electric Solid State
2092N6107Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -80V.General Electric Solid State
2102N6108Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -60V.General Electric Solid State
2112N6109Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -60V.General Electric Solid State
2122N6110Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -40V.General Electric Solid State
2132N6111Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -40V.General Electric Solid State
2142N6121Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 45V.General Electric Solid State
2152N6122Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V.General Electric Solid State
2162N6123Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V.General Electric Solid State
2172N6124Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -45V.General Electric Solid State
2182N6125Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -60V.General Electric Solid State
2192N6126Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -80V.General Electric Solid State
2202N6211De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
2212N6212De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
2222N6213De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
2232N6214De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
2242N6246Epitaxial-base, PNP transistor de silicio de alta potencia. -70V, 125W.General Electric Solid State
2252N6247Epitaxial-base, PNP transistor de silicio de alta potencia. -90V, 125W.General Electric Solid State
2262N6248Epitaxial-base, PNP transistor de silicio de alta potencia. -110V, 125W.General Electric Solid State
2272N6249300V, 30A, 175W silicio NPN switcing transistor.General Electric Solid State



2282N6250375V, 30A, 175W silicio NPN switcing transistor.General Electric Solid State
2292N6251450V, 30A, 175W silicio NPN switcing transistor.General Electric Solid State
2302N6253De silicio de alta potencia transistor NPN. 55V, 115W.General Electric Solid State
2312N6254De silicio de alta potencia transistor NPN. 100V, 150W.General Electric Solid State
2322N6259Alto voltaje, alta transistor de potencia. 170V, 250W.General Electric Solid State
2332N6262De silicio de alta tensión de transistor NPN. 170V, 150W.General Electric Solid State
2342N6263Silicon Power Media transistor NPN. 140V, 20W.General Electric Solid State
2352N6264Silicon Power Media transistor NPN. 170V, 50W.General Electric Solid State
2362N628220 A NPN complementaria y PNP transistor de potencia Darlington monolítico. Calificación de 60 V (min) de alta tensión. 160 W.General Electric Solid State
2372N628320 A NPN complementaria y PNP transistor de potencia Darlington monolítico. Calificación de 80 V (min) de alta tensión. 160 W.General Electric Solid State
2382N628420 A NPN complementaria y PNP transistor de potencia Darlington monolítico. Puntuación de alta tensión de 100 V (min). 160 W.General Electric Solid State
2392N628520 A NPN complementaria y PNP transistor de potencia Darlington monolítico. Calificación de 60 V (min) de alta tensión. 160 W.General Electric Solid State
2402N628620 A NPN complementaria y PNP transistor de potencia Darlington monolítico. Calificación de 80 V (min) de alta tensión. 160 W.General Electric Solid State
2412N628720 A NPN complementaria y PNP transistor de potencia Darlington monolítico. Puntuación de alta tensión de 100 V (min). 160 W.General Electric Solid State
2422N6288Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 40V.General Electric Solid State
2432N6289Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 40V.General Electric Solid State
2442N6290Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V.General Electric Solid State
2452N6291Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V.General Electric Solid State
2462N6292Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V.General Electric Solid State
2472N6293Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V.General Electric Solid State
2482N6342A12-A triac silicio. 200 V.General Electric Solid State
2492N6343A12-A triac silicio. 400 V.General Electric Solid State
2502N6344A12-A triac silicio. 600 V.General Electric Solid State

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