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Hojas de datos encontradas :: 1013

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
501	C122F	8A rectificador controlado de silicio. Vrrom 50V.	General Electric Solid State
502	C122M	8A rectificador controlado de silicio. Vrrom 600V.	General Electric Solid State
503	CA3018	ÓRDENES DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR	General Electric Solid State
504	CA3018	ÓRDENES DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR	General Electric Solid State
505	CA3018A	ÓRDENES DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR	General Electric Solid State
506	CA3018A	ÓRDENES DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR	General Electric Solid State
507	CA3019	Ultra-rápido de baja capacitancia diodos emparejados.	General Electric Solid State
508	CA3039	Matriz de diodos. Seis diodos emparejados en un sustrato común.	General Electric Solid State
509	CA3045D	Propósito general NPN transistor array.	General Electric Solid State
510	CA3045F	Propósito general NPN transistor array.	General Electric Solid State
511	CA3045H	Propósito general NPN transistor array.	General Electric Solid State
512	CA3046E	Propósito general NPN transistor array.	General Electric Solid State
513	CA3083	De uso general de alta corriente matriz de transistores NPN.	General Electric Solid State
514	CA3086	De uso general NPN transistor array.	General Electric Solid State
515	CA3086F	De uso general NPN transistor array.	General Electric Solid State
516	CA3096AE	NPN / PNP matriz de transistores.	General Electric Solid State
517	CA3096CE	NPN / PNP matriz de transistores.	General Electric Solid State
518	CA3096E	NPN / PNP matriz de transistores.	General Electric Solid State
519	CA3096H	NPN / PNP matriz de transistores.	General Electric Solid State
520	CA3097E	Tiristor matriz / transistor.	General Electric Solid State
521	CA3097H	Tiristor matriz / transistor.	General Electric Solid State
522	CA3118AT	De alta tensión del campo transistor.	General Electric Solid State
523	CA3118T	De alta tensión del campo transistor.	General Electric Solid State
524	CA3127E	De alta gama freguency NPN transistor. Para aplicaciones de baja potencia a frecuencias de hasta 500 MHz.	General Electric Solid State
525	CA3127F	De alta gama freguency NPN transistor. Para aplicaciones de baja potencia a frecuencias de hasta 500 MHz.	General Electric Solid State
526	CA3127H	De alta gama freguency NPN transistor. Para aplicaciones de baja potencia a frecuencias de hasta 500 MHz.	General Electric Solid State
527	CA3130	Amplificadores Operacionales De BiMOS	General Electric Solid State

528	CA3138	De alta corriente, alta beta NPN transistor array.	General Electric Solid State
529	CA3138A	De alta corriente, alta beta NPN transistor array.	General Electric Solid State
530	CA3146AE	De alta tensión del campo transistor.	General Electric Solid State
531	CA3146E	De alta tensión del campo transistor.	General Electric Solid State
532	CA3183AE	De alta tensión del campo transistor.	General Electric Solid State
533	CA3183E	De alta tensión del campo transistor.	General Electric Solid State
534	CA3227E	De alta frecuencia NPN transistor array. Para aplicaciones de baja potencia a frecuencias de hasta 1,5 GHz.	General Electric Solid State
535	CA3246E	De alta frecuencia NPN transistor array. Para aplicaciones de baja potencia a frecuencias de hasta 1,5 GHz.	General Electric Solid State
536	CA3250	ALTOS ÓRDENES DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR DE LA CORRIENTE NPN	General Electric Solid State
537	CA3250	ALTOS ÓRDENES DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR DE LA CORRIENTE NPN	General Electric Solid State
538	CA3250E	De uso general de alta corriente matriz de transistores NPN. Matriz común de colector.	General Electric Solid State
539	CA3250F	De uso general de alta corriente matriz de transistores NPN. Matriz común de colector.	General Electric Solid State
540	CA3250H	De uso general de alta corriente matriz de transistores NPN. Matriz común de colector.	General Electric Solid State
541	CA3251	ALTOS ÓRDENES DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR DE LA CORRIENTE NPN	General Electric Solid State
542	CA3251	ALTOS ÓRDENES DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR DE LA CORRIENTE NPN	General Electric Solid State
543	CA3251E	De uso general de alta corriente matriz de transistores NPN. Matriz común-emisor.	General Electric Solid State
544	CA3251F	De uso general de alta corriente matriz de transistores NPN. Matriz común-emisor.	General Electric Solid State
545	CA3251H	De uso general de alta corriente matriz de transistores NPN. Matriz común-emisor.	General Electric Solid State
546	CNY51	EL FOTÓN JUNTÓ LSOLATOR	General Electric Solid State
547	GE3009	Fotón acopla aislador. GaAs diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
548	GE3010	Fotón acopla aislador. GaAs diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
549	GE3011	Fotón acopla aislador. GaAs diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
550	GE3012	Fotón acopla aislador. GaAs diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State

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